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J-GLOBAL ID：201702222951481943   整理番号：17A0933202

印刷したグラフェン酸化物層上の擬似懸濁したグラフェン少数層における高いキャリア移動度

High carrier mobility in quasi-suspended few-layer graphene on printed graphene oxide layers

著者 (4件)： ANTONOVA I. V. (Rzhanov Inst. Semiconductor, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  ANTONOVA I. V. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  BASYLEVA E. V. (Novosibirsk State Technical Univ., Novosibirsk, RUS) ,  KOTIN I. A. (Rzhanov Inst. Semiconductor, RAS, Novosibirsk, RUS)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 17  ページ： 10230-10236  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 印刷したグラフェン酸化物(GO)層上の擬似懸濁したグラフェン(G)層又は多層のグラフェン(MLG)のヘテロ構造のキャリア移動度について調べた。印刷したGOフィルムの小山上へのMLGフィルムの疑似懸濁は,MLGと基板の距離が20~40nmと見積もられる場合でも,キャリア移動度に影響した。この場合,キャリア移動度の影響は大変大きく,300から4500cm²V_-1s^-1に増大した。この強い影響は,基板として用いた印刷GOフィルムの比較的高い粗度(小山無しの10~15nm)によって説明した。また低いGの抵抗(平方あたり40~300Ω)は,GOのドーピング効果と関連付けた。疑似懸濁構造は,センサ,検出器および他の用途の高品質グラフェンチャネルとして使用するフレキシブルおよび/またはプリントエレクトロニクスに有望である。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *酸化物 ,  *キャリア移動度 ,  素子構造 ,  電気抵抗 ,  フレキシブル基板 ,  表面性状 ,  印刷 ,  ドーピング ,  添加物効果 ,  懸濁物質 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *グラフェン酸化物 ,  ドーピング効果 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  酸化物層 ,  擬似 ,  懸濁 ,  キャリア移動度