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J-GLOBAL ID:201702222964446118   整理番号:17A1174596

c軸配向ZnO薄膜の性質の調整におけるAl,Ba,Cdドーパント元素の役割【Powered by NICT】

The role of Al, Ba, and Cd dopant elements in tailoring the properties of c-axis oriented ZnO thin films
著者 (7件):
資料名:
巻: 506  ページ: 83-93  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高度にc軸配向したドープしていないZnOとAl,Ba,およびCdドープZnO薄膜をゾル-ゲルスピンコーティング法を用いてガラス基板上に堆積することに成功した。XRD解析から,すべての薄膜はc軸に沿って優先配向した六方晶ウルツ鉱型構造を有することを示した。電界放出型走査電子顕微鏡(FESEM)を用いて薄膜の形態を研究することであった。形態は球状と非球状形状粒で構成されている。EDX分析は,関連する薄膜中のO,Zn,Al,Ba,Cdの存在を確認した。薄膜の光学的性質を紫外-可視分光計を用いて研究した。全ての薄膜は可視領域で85%以上の光透過率を有していた。光学バンドギャップE gにおける青方偏移はAl添加で観察されたが,BaおよびCdのドーピングはE gの赤方偏移をもたらした。全てのドープされたZnO薄膜のUrbachエネルギーE UはそのバンドギャップエネルギーE gと優れた相関関係を持つことが分かった。E gが増加するE Uは微結晶サイズの増加に減少した。光学パラメータE gとE Uだけでなく構造パラメータ格子歪と積層欠陥確率もB因子またはドーパント元素の原子振動の平均二乗振幅と優れた相関を示した。薄膜の電気伝導率測定を二点プローブ法を用いて行った。電気伝導率は,c軸に沿って結晶方位の増加とともに増加することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  光物性一般 

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