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J-GLOBAL ID：201702223010291320   整理番号：17A1092101

光誘起電流過渡分光法から誘導した欠陥準位の励起スペクトル-Cu(In,Ga)Se_2化合物中の深い準位を研究するためのツール【Powered by NICT】

Excitation spectra of defect levels derived from photoinduced current transient spectroscopy - a tool for studying deep levels in Cu(In,Ga)Se₂ compounds

著者 (5件)： Igalson M. (Faculty of Physics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 79, 00-662 Warszawa, Poland) ,  Macielak K. (Faculty of Physics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 79, 00-662 Warszawa, Poland) ,  Urbaniak A. (Faculty of Physics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 79, 00-662 Warszawa, Poland) ,  Barreau N. (Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322 Nantes cedex 3, France) ,  Larsen J. (Laboratory for Photovoltaics, University of Luxembourg, 41, rue du Brill, L-4422 Belvaux, Luxembourg)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 227-230  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥準位へのキャリアの光励起に必要なエネルギーは,熱活性化エネルギーを補足と研究中の欠陥の電子特性を理解するのに役立つことをパラメータである。位相敏感検出に基づく光誘起電流過渡分光法(PICTS)の改質を欠陥準位の励起スペクトルを測定することができる提案した。エピタキシャルCuGaSe_2と多結晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜の励起スペクトルの代表的な結果を示した。標準PICTS分光法から得られた情報を補完するデータを提供することにより,欠陥の性質を研究するためのツールとしての方法の有用性を例示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *欠陥準位 ,  位相検波 ,  *電流 ,  *励起スペクトル ,  エピタクシー ,  *スペクトロスコピー ,  *深い準位 ,  多結晶
準シソーラス用語： 熱活性化 ,  *光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 欠陥準位 ,  銅インジウムガリウムセレニド ,  光電流 ,  光誘起電流過渡分光法

分類 (3件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 光誘起 ,  誘導 ,  欠陥準位 ,  励起スペクトル ,  Cu ,  Ga ,  深い準位 ,  研究 ,  ツール