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J-GLOBAL ID：201702223054221028   整理番号：17A1399138

フォトニック集積回路のためのInP MMIに基づく偏光スプリッタ【Powered by NICT】

InP MMI based polarization splitter for Photonic Integrated Circuits

著者 (7件)： Morgado Tiago (Instituto de Telecomunicac,oes (IT), University of Aveiro, 3810-193, Portugal) ,  Rodrigues Francisco (Instituto de Telecomunicac,oes (IT), University of Aveiro, 3810-193, Portugal) ,  Shahpari Ali (Instituto de Telecomunicac,oes (IT), University of Aveiro, 3810-193, Portugal) ,  Neto Berta (Instituto de Telecomunicac,oes (IT), University of Aveiro, 3810-193, Portugal) ,  Pinho Catia (Instituto de Telecomunicac,oes (IT), University of Aveiro, 3810-193, Portugal) ,  Lima Mario (Instituto de Telecomunicac,oes (IT), University of Aveiro, 3810-193, Portugal) ,  Teixeira Antonio (Instituto de Telecomunicac,oes (IT), University of Aveiro, 3810-193, Portugal)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICTON  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿ではフォトニック集積回路PICのための新しい多モード干渉MMI偏光スプリッタを提案した。FeドープInP E1700におけるFraunhoferハインリッヒヘルツ研究所(HHI)市販多層導波路を用いて設計した。この装置を設計したどのような中心動作波長は1534nmであった。このデバイスは,偏波ダイバーシチを探求することを望むことを次世代受動光ネットワークにおけるアップグレードとして使用できる例のための新しい通信ネットワークに非常に有用である。本論文で報告したシミュレーションは横磁場(TM)偏光の横電場(TE)偏光と1.23dBのわずか1.95dBの挿入損失を指摘した。も28nmの3dB帯域幅を持つ波長変化に耐性である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  導波路 ,  通信網 ,  挿入損 ,  波長 ,  *光集積回路 ,  ドーピング ,  帯域幅 ,  偏波ダイバーシチ ,  *リン化インジウム ,  *偏光 ,  多層
準シソーラス用語： 受動光ネットワーク ,  多モード干渉 ,  *偏光スプリッタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (3件)： フォトニック集積回路 ,  InP ,  偏光スプリッタ