ウェアラブルデバイスのための23.4超低待機電力3.733ピン2Gb LPDDR4SDRAM【Powered by NICT】

Kwon Hye-Jung; Seo Eunsung; Lee Chan-Yong; Seo Young-Hun; Han Gong-Heum; Kim Hye-Ran; Lee Jong-Ho; Jang Min-Su; Do Sung-Geun; Cho Seung-Hyun; Park Jae-Koo; Doo Su-Yeon; Shin Jung-Bum; Jung Sang-Hoon; Kim Hyoung-Ju; Im In-Ho; Cho Beob-Rae; Lee Jae-Woong; Lee Jae-Youl; Yu Ki-Hun; Kim Hyung-Kyu; Jeon Chul-Hee; Park Hyun-Soo; Kim Sang-Sun; Lee Seok-Ho; Park Jong-Wook; Lee Seung-Sub; Lim Bo-Tak; Park Jun-young; Park Yoon-Sik; Kwon Hyuk-Jun; Bae Seung-Jun; Choi Jung-Hwan; Park Kwang-Il; Jang Seong-Jin; Jin Gyo-Young

文献

J-GLOBAL ID：201702223117683464 整理番号：17A0417622

ウェアラブルデバイスのための23.4超低待機電力3.733ピン2Gb LPDDR4SDRAM【Powered by NICT】

23.4 An extremely low-standby-power 3.733Gb/s/pin 2Gb LPDDR4 SDRAM for wearable devices

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資料名：
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 394-395 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ウェアラブルデバイスの成長,スマート時計とスマートガラスなどに伴い,低消費電力の増大する需要,限られた電池容量の長い電池寿命を達成することである。それにもかかわらず,高分解能グラフィックエンジンを支援するために増加させる必要があるメモリ帯域幅。最もウェアラブルデバイスは,イベント駆動であるので,待機モードにおける電力の大部分を消費する。,待機モード電力を減少させるだけでなく,能動モード電力効率を改善するためにcricticalである。しかし,データ保持に重要であり,DRAMの周期的自己リフレッシュは待機モード電力の下限を課している。0.15mW待機モード電力,同じ密度のメモリのための待機電力より66%低く,2GB LPDDR4SDRAMを提示した。提案したメモリは3.733pinの帯域幅を達成した。待機モード電力を著しく低下するために,DRAM誤り訂正符号(ECC)エンジンは自己リフレッシュ電流低減に使用されている。深いパワーダウン(DPD)モード,温度制御された内部発電機と積極的に増加したゲート長における集中電力ゲーティングは,漏れ電流を低減するために使用されている。さらに,能動モード電力効率は二重ページサイズ方式を用いることにより改善された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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移動通信 , 入出力装置 , 半導体集積回路 , 記憶装置

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