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J-GLOBAL ID：201702223133205637   整理番号：17A0325579

高性能バルクヘテロ接合高分子太陽電池のためのインダセノジチエノ[3,2 b]チオフェンに基づく広いバンドギャップ重合体【Powered by NICT】

A wide band gap polymer based on indacenodithieno[3,2-b]thiophene for high-performance bulk heterojunction polymer solar cells

著者 (2件)： Lee Woosung (ICT Textile & Apparel R&D Group, Korea Institute of Industrial Technology (KITECH), 143 Hanggaulro, Sangnokgu, Ansan-si, Gyeonggi-do 426-910, Republic of Korea) ,  Jung Jae Woong
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 2  ページ： 712-719  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ重合体はタンデムデバイスにおける短波長光吸収体として高分子太陽電池(PSC)における応用のために多くの関心を集めているが,広いバンドギャップ高分子ベース単一電池デバイスの電力変換効率(PCE)は,それらの制限された光吸収範囲のために狭帯域ギャップ重合体のそれよりも劣っていた。このようにして,最適なデバイス性能のための新しい半導性高分子を開発する必要がある。ここで,新しい広いバンドギャップ高分子(PIDTT TT)はチエノ[3,2 b]チオフェン(TT)とインダセノジチエノ[3,2 b]チオフェン(IDTT)を共重合,~580nm(光学バンドギャップ=2.14eV)の吸収開始を持つ広いバンドギャップ高分子(PIDTT TT)により設計し,合成した。電気化学的研究は,P3HT(HOMO=5.00 eV)と比較しPIDTT TTの低位エネルギー準位(HOMO= 5.35 eV)素子における高開回路電圧(V_OC)を得るために有効を示した。PIDTT TT:PC_71BMブレンドフィルムの最適化形態を高V_OC(0.96 V)と曲線因子(FF)(0.66),限られた光吸収範囲を補償した,7.10%の電力変換効率(PCE)を達成した。PIDTT TTの深いエネルギー準位は,太陽電池の空気安定性,環境条件下で120時間貯蔵した後に初期PCEの85%を保持していたを補強した。PIDTT TTはタンデム太陽電池への応用のための有望な候補である。高速PSCのための広いバンドギャップ重合体の設計ルールを濃縮した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光吸収 ,  *重合体 ,  光学ギャップ ,  *高分子 ,  最適化 ,  *電池 ,  *バンドギャップ ,  *太陽電池 ,  吸収体
準シソーラス用語： タンデム太陽電池 ,  曲線因子 ,  開回路電圧 ,  電力変換効率 ,  *高分子太陽電池 ,  *バルクヘテロ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  バルクヘテロ接合 ,  高分子太陽電池 ,  チオフェン ,  バンドギャップ ,  重合体