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J-GLOBAL ID：201702223178341129   整理番号：17A1088449

MOVPE成長共鳴トンネルダイオードTHzエミッタの作製,キャラクタリゼーション及びエピタキシャル最適化

Fabrication, Characterization, and Epitaxial Optimisation of MOVPE-Grown Resonance Tunnelling Diode THz emitters

著者 (6件)： BABA Razvan (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  JACOBS Kristof J. P. (Univ. Sheffield, Sheffield, DEU) ,  STEVENS Benjamin J. (Univ. Sheffield, Sheffield, DEU) ,  HARRISON Brett A. (Univ. Sheffield, Sheffield, DEU) ,  MUKAI Toshikazu (Rohm Co. Ltd., Kyoto, JPN) ,  HOGG Richard A. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10111  ページ： 101113A.1-101113A.8  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共鳴トンネルダイオード(RTD)は,THz領域における将来の無線通信の強力な候補であり,Gb/s転送速度によって簡潔な室温動作を提供する。ここでは,テーパ付きスロットアンテナを用いた準光学RTDエミッタについて述べた。そのスペクトル特性評価を示す。このデバイスを改善するために取り組む必要がある重要な分野を同定する。先ず,著者達が作製したRTDの測定に基づく性能指数を用い,これを文献で入手できる他の評価基準と比較する。これをTHz放射出力を最大にするための構造設計の助けとして用いる。このデバイスを作製する実用性を歪み緩和と格子不整合転位形成の観点から述べ,そのような製造可能なウエハの方向を示唆する。成長層品質を監視する迅速で非破壊の道具として,低温フォトルミネセンス(LT-PL)及び高分解能X線回折(HRXRD)特性評価を結びつけて用いることを報告した。高濃度エミッタ/コレクタ及び接触層の絶対ドーピング濃度を測定するために,PL特性評価を用い,線幅から重要なデバイス成分を同定する。InGaAsバッファ層中に埋め込まれた“ダミー”RTDを持つRTD構造は,大変詳細に構造組成を監視することを可能にし,光学技術に利点をもたらす。この特性評価法によって,AlAs障壁厚み以外の層構造を高い精度で記述することが可能になる。

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  *テラヘルツ波 ,  *キャラクタリゼーション ,  エピタクシー ,  最適化 ,  MOCVD ,  素子構造 ,  バンドギャップ ,  緩和現象 ,  格子不整合 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  スロットアンテナ ,  光ルミネセンス ,  X線回折

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOVPE ,  成長 ,  共鳴トンネルダイオード ,  エミッタ ,  作製 ,  キャラクタリゼーション ,  エピタキシャル ,  最適化