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J-GLOBAL ID：201702223216888476   整理番号：17A0953616

高エネルギーナトリウム注入後のシリコン中での負の焼なまし

Negative Annealing in Silicon after the Implantation of High-Energy Sodium Ions

著者 (4件)： KOROL’ V. M. (Southern Federal Univ., Rostov-on Don, RUS) ,  ZASTAVNOI A. V. (Southern Federal Univ., Rostov-on Don, RUS) ,  KUDRIAVTSEV Yu. (IPN, Mexico) ,  ASOMOZA R. (IPN, Mexico)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 5  ページ： 549-555  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高エネルギーナトリウムイオン注入によってドープした高抵抗率p-Siの等時アニーリングのT_ann=350~850°Cで4つの典型的な領域を同定した。ナトリム原子エネルギーを活性化したT_ann=350~450°Cでのアニーリングを第一種相転移で記述する。T_ann=450~525°Cではイオン照射線量とは無関係に負の焼なましが観測された。この焼なましには表面抵抗ρ_sのかなりの増加を伴う。見積りによるとこの過程の活性化エネルギーは2eV前後である。この焼なましはナトリウムドナーイオンの析出と関連していてそれが発生する深さはイオンの到達範囲R_pの2~3倍を超すと考えた。T_ann=525~700°Cでの焼なましによりρ_sはさらに減少しその活性化エネルギーは約2.1eVであった。二次イオン質量分光で測ったナトリウムイオン分布の裾野はこれらの原子のクレータ壁からの拡散に起因するとする仮定を検証した。室温で測定したナトリウムイオンのプロフィルが-140°Cで測ったものと違わないことから,この過程は実際には起こっていないことを示した。

シソーラス用語： *ナトリウム ,  *イオン注入 ,  *ケイ素 ,  *焼なまし ,  第一種相転移 ,  照射線量 ,  *表面抵抗 ,  *活性化エネルギー ,  析出 ,  二次イオン質量分析 ,  拡散 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 二次イオン質量分光分析 ,  高エネルギー

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高エネルギー ,  ナトリウム ,  注入 ,  シリコン ,  焼なまし