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J-GLOBAL ID：201702223284166627   整理番号：17A0551817

スイッチング特性を有するナノ接合に基づく高性能ナノブリッジMoO₃UV光検出器

A high-performance nanobridged MoO₃ UV photodetector based on nanojunctions with switching characteristics

著者 (4件)： ZHENG Qinghong (Fujian Agriculture and Forestry Univ., Fuzhou, CHN) ,  HUANG Jin (Fujian Inst. of Res. on the Structure of Matter, Chinese Acad. of Sci., Fuzhou, CHN) ,  YANG Haiyang (Fujian Agriculture and Forestry Univ., Fuzhou, CHN) ,  CHEN Yanqin (Fujian Agriculture and Forestry Univ., Fuzhou, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 4  ページ： 045202,1-8  発行年： 2017年01月27日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,物理気相堆積(PVD)法により,さまざまな成長温度において,二つのタイプの接触ナノ接合,タッチングおよび相互貫通,を有するMoO₃ナノブリッジの紫外光検出器(UVPD)を作製した。そして,そのUVPDのオプトエレクトロニクス応答のメカニズムを系統的に比較した。その結果,UVPDの性能が,ナノ接合の接触タイプに強く依存することを見い出した。タッチング接触タイプにおいては,表面空乏を理由として,隣り合うMoO₃ナノベルトは,高いポテンシャル障壁が形成される接合を作った。スイッチング特性の利点から,タッチングナノ接合を備えるMoO₃ナノブリッジUVPDは,UVセンシングにおいて優れた特性を有し,低い暗電流(10Vにて~1.4nA),高いオンオフ比(>100),および高速な応答速度(<1s)を示した。著者らの結果は,単純に成長条件を変えることにより,高性能を達成するよう,そのブリッジMoO₃ナノベルトを調整できることを示した。

シソーラス用語： *酸化モリブデン ,  *紫外線 ,  *光検出器 ,  物理蒸着 ,  接合 ,  蒸着膜 ,  *ポテンシャル障壁 ,  *暗電流 ,  比率 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： ナノ接合 ,  オンオフ比 ,  *ナノベルト ,  *ナノブリッジ

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング特性 ,  ナノ接合 ,  高性能 ,  ナノブリッジ ,  検出器