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J-GLOBAL ID：201702223319299131   整理番号：17A0368507

自立,単分子層作製グラフェン電子デバイスとその性質特性化の一般的方法【Powered by NICT】

A general method of fabricating free-standing, monolayer graphene electronic device and its property characterization

著者 (10件)： Wang Haidong (Department of Mechanical Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Kurata Kosaku (Department of Mechanical Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Fukunaga Takanobu (Department of Mechanical Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Ago Hiroki (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Takamatsu Hiroshi (Department of Mechanical Engineering, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Zhang Xing (Department of Engineering Mechanics, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Ikuta Tatsuya (Department of Aeronautics and Astronautics, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Takahashi Koji (Department of Aeronautics and Astronautics, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Nishiyama Takashi (Department of Aeronautics and Astronautics, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Takata Yasuyuki (International Institute for Carbon-Neutral Energy Research, Kyushu University, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 247  ページ： 24-29  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次のいくつかの特徴を持つことをグラフェンナノ電子デバイスを作製するための一般的なプロセスを実証した:高品質,任意形状の金属電極またはセンサをもつ自立,マイクロメータサイズの単層グラフェン。正常経路とは対照的に,はるかに大きな面積の全グラフェン素子の懸濁のためのシリコン中の深いトレンチを生成するガスエッチングプロセス。ユーザ設計電極やセンサは多機能を実現するための同時に懸濁グラフェン上に作製した。本研究では,部位上のグラフェンの固有の電気的および熱的性質を測定するために設計した懸濁金ナノ薄膜センサ。センサは同時に電極と正確な抵抗温度計の両方として機能する。単純金属電極形状と電気回路を変化させることにより,自立グラフェンは異なるデバイスとし,単一分子検出器またはナノ共振器のようなことができる。グラフェンデバイスのロバスト性を試験するために,切断まで高い電流は真空中でグラフェンを加熱するために適用した。破壊電流密度は1.86mA/μmと測定された。より重要なことに,この方法は,グラフェンへの限定されただけでなく,他の二次元材料に適用することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  電流密度 ,  抵抗温度計 ,  微小共振器 ,  二次元 ,  センサ ,  ロバスト性 ,  熱特性 ,  *キャラクタリゼーション ,  *単分子層 ,  単一分子 ,  単層グラフェン ,  金属電極 ,  *電子素子
準シソーラス用語： 多機能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェンデバイス ,  自立 ,  特性 ,  センサ

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自立 ,  単分子層 ,  作製 ,  グラフェン ,  電子デバイス ,  性質 ,  特性化