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J-GLOBAL ID:201702223328209890   整理番号:17A0661976

単分子層の横方向p-nヘテロ接合に基づく高効率全方向光応答【Powered by NICT】

High-efficiency omnidirectional photoresponses based on monolayer lateral p-n heterojunctions
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 37-42  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2469A  ISSN: 2055-6764  CODEN: NHAOAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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横方向単分子層WSe_2 MoS_2p-nヘテロ接合の電気的および光学的性質は優れた全方向性光検出能力を持つ0.26A W~ 1の高い応答性を実証するために特性化した。ダイオードとしてヘテロ接合機能は1.25の理想因子をもつ顕著なゲート同調挙動を示した。添加では,超高速光応答,低光検出可能性,および高温動作を達成した。これらのユニークな特性は,サブナノ半導体デバイスの将来の開発のための道を開いた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
ダイオード  ,  固-固界面 

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