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J-GLOBAL ID：201702223344041718   整理番号：17A0324805

グラフェンで修飾した粒界顔貌とスクッテルダイトは高効率熱電素子を可能にするzTを増強する【Powered by NICT】

Skutterudite with graphene-modified grain-boundary complexion enhances zT enabling high-efficiency thermoelectric device

著者 (8件)： Zong Peng-an (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China. [e-mail]) ,  Hanus Riley ,  Dylla Maxwell ,  Tang Yunshan ,  Liao Jingcheng ,  Zhang Qihao ,  Snyder G. Jeffrey ,  Chen Lidong
資料名： Energy & Environmental Science  (Energy & Environmental Science)
巻： 10  号： 1  ページ： 183-191  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2306A  ISSN： 1754-5692  CODEN： EESNBY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スクッテルダイト材料は,熱電廃熱回収のために考慮されている。スクッテルダイト構造は効果的に高周波フォノンを散乱が,結晶粒界工学は,単に粒径の減少を越えて熱伝導率を減少させるために必要である。ここでは,還元グラフェン酸化物(rGO)は,グラフェン無しの結晶粒界と比較して3~5の因子による粒界熱抵抗率を増大させることを示した。グラフェンでもミクロンサイズの粒子をラッピング高い熱電性能指数zT=1.5がn型Yb_yCo_4Sb_12で実現した熱伝導率のそのような有意な減少を誘発し,一方1.06のzTはp型Ce_yFe_3CoSb_12で達成された。16脚熱電モジュールは,グラフェン無しで作られたモジュールより24%高い変換効率を示すことがnおよびp型スクッテルダイトグラフェンナノ複合材料を用いて行った。二次元材料,エンジニアリングのための粒界形勢は先進の熱電材料のための新しい戦略を導入した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *熱電素子 ,  ナノ複合材料 ,  フォノン ,  *結晶粒界 ,  粒径 ,  廃熱回収 ,  熱電材料 ,  熱伝導率 ,  HF【周波数】 ,  *グラフェン ,  熱抵抗
準シソーラス用語： 変換効率 ,  熱電性能指数 ,  *高効率 ,  *スクッテルダイト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  修飾 ,  粒界 ,  顔貌 ,  スクッテルダイト ,  高効率 ,  熱電素子 ,  増強