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J-GLOBAL ID：201702223372952913   整理番号：17A1119493

p型色素増感太陽電池の開回路電圧を強化するためのp半導体の界面でのエンジニアリングプロセス【Powered by NICT】

Engineering Processes at the Interface of p-Semiconductor for Enhancing the Open Circuit Voltage in p-Type Dye-Sensitized Solar Cells

著者 (12件)： Favereau Ludovic (Universite LUNAM, Universite de Nantes, CNRS, Chimie et Interdisciplinarite: Synthese, Analyse Modelisation (CEISAM), UMR 6230, 2 rue de la Houssiniere, BP 92208, 44322, Nantes cedex 3, France) ,  Pellegrin Yann (Universite LUNAM, Universite de Nantes, CNRS, Chimie et Interdisciplinarite: Synthese, Analyse Modelisation (CEISAM), UMR 6230, 2 rue de la Houssiniere, BP 92208, 44322, Nantes cedex 3, France) ,  Hirsch Lionel (Universite de Bordeaux, IMS, UMR 5218, 351 Cours de la liberation, F-33400, Talence, France) ,  Hirsch Lionel (CNRS, IMS, UMR 5218, F-33400, Talence, France) ,  Renaud Adele (Institut des Materiaux Jean Rouxel, Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322, Nantes cedex 03, France) ,  Planchat Aurelien (Universite LUNAM, Universite de Nantes, CNRS, Chimie et Interdisciplinarite: Synthese, Analyse Modelisation (CEISAM), UMR 6230, 2 rue de la Houssiniere, BP 92208, 44322, Nantes cedex 3, France) ,  Blart Errol (Universite LUNAM, Universite de Nantes, CNRS, Chimie et Interdisciplinarite: Synthese, Analyse Modelisation (CEISAM), UMR 6230, 2 rue de la Houssiniere, BP 92208, 44322, Nantes cedex 3, France) ,  Louarn Guy (Institut des Materiaux Jean Rouxel, Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322, Nantes cedex 03, France) ,  Cario Laurent (Institut des Materiaux Jean Rouxel, Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322, Nantes cedex 03, France) ,  Jobic Stephane (Institut des Materiaux Jean Rouxel, Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322, Nantes cedex 03, France) ,  Boujtita Mohammed (Universite LUNAM, Universite de Nantes, CNRS, Chimie et Interdisciplinarite: Synthese, Analyse Modelisation (CEISAM), UMR 6230, 2 rue de la Houssiniere, BP 92208, 44322, Nantes cedex 3, France) ,  Odobel Fabrice (Universite LUNAM, Universite de Nantes, CNRS, Chimie et Interdisciplinarite: Synthese, Analyse Modelisation (CEISAM), UMR 6230, 2 rue de la Houssiniere, BP 92208, 44322, Nantes cedex 3, France)
資料名： Advanced Energy Materials  (Advanced Energy Materials)
巻： 7  号： 12  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2778A  ISSN： 1614-6832  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 価電子帯の注入された正孔の間の界面電荷再結合とp型色素増感太陽電池(p DSSC)における電解質中の酸化還元メディエータを防ぐために有機絶縁体ケノデオキシコール酸(CDCA)層による再結合サイトの不動態化は,本研究で検討した。染色段階でのCDCAの同時共吸着による半導体表面の古典的コーティングよりもむしろ,他の二つの方法を研究した。最初は電解質中のCDCAの溶解に構成され,第二はスピンコーティングで既に染色された光電陰極へのCDCAのエタノール溶液から構成されている。本研究では,種々の増感剤,電解質,およびp SC,(NiO,CuGaO_2)を調べた。電流/電圧曲線と電気化学インピーダンス分光法の解析は,CDCA層の役割はNiO表面から酸化還元メディエータの考え方を防止する物理的障壁を作ることである,その結果開回路電圧(V_oc)を上昇させるという証拠を提供する。この有害な副反応を抑制または減少できるならば,本研究の重要な知見は,p DSSCにおけるV_ocは界面電荷再結合により強く制限されてしまうことと高いV_oc値100以上多くmV及び500mVまでの高いは従来の材料(NiO)で達成できることを実証した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結合部位 ,  *界面 ,  *電圧 ,  電解質 ,  不動態化 ,  価電子バンド ,  酸化還元反応 ,  スペクトロスコピー ,  増感剤 ,  スピンコーティング ,  *半導体 ,  光電陰極
準シソーラス用語： 電気化学インピーダンス分光法 ,  電荷再結合 ,  *開回路電圧 ,  *色素増感太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電荷再結合 ,  色素増感太陽電池 ,  インピーダンス分光法 ,  表面不動態化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 色素増感太陽電池 ,  開回路電圧 ,  強化 ,  界面 ,  エンジニアリング ,  プロセス