Zhou J.W. について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
Li T.R. について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
Zhang D. について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
Zhang S.W. について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
Huang J. について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
Zhang J.M. について
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, PR China について
Wang L. について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
Jiang Y.C. について
Solid State Physics and Materials, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou, 215011, Jiangsu, PR China について
Solid State Physics and Materials, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou, 215011, Jiangsu, PR China について
Wang L.J. について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, PR China について
Vacuum について
誘電体 について
深さプロフィル について
記憶素子 について
界面 について
耐久性 について
保持時間 について
膜厚 について
金 について
複合膜 について
X線光電子分光法 について
ReRAM について
リテンション について
スイッチング特性 について
DCマグネトロンスパッタリング について
抵抗スイッチング について
酸化物薄膜 について
金属薄膜 について
厚さ について
炭素 について
鉄 について
複合膜 について
バイポーラ について
抵抗スイッチング について
挙動 について