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J-GLOBAL ID：201702223476885406   整理番号：17A1056416

グラフェン被覆炭化けい素板を用いた電気的に制御された近接場放射熱変調器【Powered by NICT】

Electrically-controlled near-field radiative thermal modulator made of graphene-coated silicon carbide plates

著者 (2件)： Yang Yue (School for Engineering of Matter, Transport, and Energy, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA) ,  Wang Liping (School for Engineering of Matter, Transport, and Energy, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA)
資料名： Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer  (Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer)
巻： 197  ページ： 68-75  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0072A  ISSN： 0022-4073  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ナノメートル真空ギャップで分離された二つのグラフェン被覆炭化けい素(SiC)板のハイブリッド近接場放射熱変調器を提案した。エミッタと受信機間の近接場光子トンネリングが対称または非対称印加電圧バイアスを有するグラフェンの化学ポテンシャルを変化させることによって調節される。ゆらぎ電気力学から計算した放射熱流束は真空ギャップを横切るグラフェンプラズモンの間の調整可能な近接場結合強度が原因となったグラフェン化学ポテンシャルで大幅に変わる。熱変調器に必要とされる重要な機能である,熱変調とスイッチングを理論的に実現し,解析した。変調因子,感度因子とスイッチング因子を新しく導入した量は,グラフェンの化学ポテンシャルと真空ギャップ距離の両方の大きなパラメータ範囲で非常に広く研究されている。エレクトロニクスと熱慣性では原理的にのみ制限される,より速い動作モードを有するこのオプトエレクトロニクスデバイスは,光子ベース近接場熱輸送によるアクティブ熱管理,熱回路,および熱計算の実用化を促進するであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非対称性 ,  *近接場 ,  ゆらぎ ,  *グラフェン ,  スイッチング ,  バイアス ,  *変調器 ,  電気力学 ,  *被覆 ,  電子技術 ,  光子 ,  熱流束 ,  対称性 ,  *炭化ケイ素 ,  化学ポテンシャル

著者キーワード (4件)： 近接場放射 ,  熱変調器 ,  グラフェン ,  表面プラズモンポラリトン

分類 (1件)： 放射伝達,放射変調  (BD03080P)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  炭化 ,  けい素板 ,  近接場 ,  放射熱 ,  変調器