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J-GLOBAL ID：201702223477418954   整理番号：17A1725079

CWDMに応用するためのOバンド窒化けい素AWGの設計と統合【Powered by NICT】

Design and integration of an O-band silicon nitride AWG for CWDM applications
著者 (10件)：
Guerber Sylvain

Guerber Sylvain について

(TR&D - STMicroelectronics SAS - 850 rue Jean Monnet - 38920 CROLLES France)

TR&D - STMicroelectronics SAS - 850 rue Jean Monnet - 38920 CROLLES France について

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Alonso-Ramos Carlos

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(Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)

Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France について

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Perez-Galacho Diego

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(Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)

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Le Roux Xavier

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(Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)

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Vulliet Nathalie

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(TR&D - STMicroelectronics SAS - 850 rue Jean Monnet - 38920 CROLLES France)

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Cremer Sebastien

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Marris-Morini Delphine

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(TR&D - STMicroelectronics SAS - 850 rue Jean Monnet - 38920 CROLLES France)

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Boeuf Frederic

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Vivien Laurent

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(Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite ́ Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)

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Baudot Charles

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資料名：
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

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巻： 2017  号： GFP  ページ： 133-134  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Oバンド四チャネルCWDM窒化ケイ素AWGの実験的実証を報告した。低次アレイの特異性はその中で2.3dB以下の挿入損失,クロストークレベルが37dBと偏光無依存スペクトル応答平坦化が得られる複数のデバイスを通して調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化ケイ素

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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平坦化

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スペクトル応答

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分類
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非破壊試験 
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,  光通信方式・機器 
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タイトルに関連する用語 (7件)：
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CWDM

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