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J-GLOBAL ID：201702223478267099   整理番号：17A0041085

プラズマを用いたグラフェンの高品質高速大面積CVD 合成 - 高スループットプロセスを目指して -

著者 (11件)： 長谷川雅考 (産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門) ,  長谷川雅考 (技術研究組合単層CNT 融合新材料研究開発機構グラフェン事業部) ,  津川和夫 (技術研究組合単層CNT 融合新材料研究開発機構グラフェン事業部) ,  加藤隆一 (技術研究組合単層CNT 融合新材料研究開発機構グラフェン事業部) ,  古賀義紀 (技術研究組合単層CNT 融合新材料研究開発機構グラフェン事業部) ,  石原正統 (産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門) ,  石原正統 (技術研究組合単層CNT 融合新材料研究開発機構グラフェン事業部) ,  山田貴壽 (産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門) ,  山田貴壽 (技術研究組合単層CNT 融合新材料研究開発機構グラフェン事業部) ,  沖川侑揮 (産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門) ,  沖川侑揮 (技術研究組合単層CNT 融合新材料研究開発機構グラフェン事業部)
資料名： Synthesiology  (Synthesiology)
巻： 9  号： 3  ページ： 124-138(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L6839A  ISSN： 1882-6229  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンの合成技術は熱CVD法が世界の潮流となっている。グラフェンによる透明導電フィルム等の工業利用実現のためには,さらなる高スループット生産が必要である。我々はいち早くプラズマCVD法を取り入れ,グラフェンの高速・大面積成膜技術の開発に取り組んできた。この論文では透明導電フィルム利用に向けた,グラフェンの高速・大面積プラズマ成膜プロセス開発について報告し,不純物混入の解決,グラフェン核形成密度の低減による品質向上等について報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ曝露 ,  スループット ,  グラフェン ,  *面積 ,  *化学蒸着 ,  化学合成 ,  透明導電膜 ,  不純物 ,  薄膜成長 ,  核形成 ,  結合エネルギー ,  X線光電子分光法 ,  Ramanスペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： スループットの最大化 ,  プラズマ照射 ,  *大面積 ,  *CVD【化学蒸着】 ,  成膜 ,  EDS【分光分析】

著者キーワード (10件)： グラフェン ,  プラズマCVD ,  高速大面積成膜 ,  高スループット ,  透明導電フィルム ,  Graphene ,  plasma CVD ,  large area synthesis high growth rate ,  high throughput ,  transparent electrode

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  プラズマ装置  (BJ02082I) ,  気相めっき  (WC08022K)

引用文献 (51件)：

• [1] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva and A. A. Firsov: Electric field effect in atomically thin carbon films, Science, 306, 666–669 (2004).
• [2] A. Kumar and C. Zhou: The race to replace tin-doped indium oxide: Which material will win?, ACS Nano, 4 (1), 11–14 (2010).
• [3] A. K. Geim: Graphene: Status and prospects, Science, 324, 1530–1534 (2009).
• [4] K.H. Liao, A. Mittal, S. Bose, C. Leighton, K. A. Mkhoyan and C. W. Macosko: Aqueous only route toward graphene from graphite oxide, ACS Nano, 5 (2), 1253–1258 (2011).
• [5] C. Virojanadara, M. Syväjarvi, R. Yakimova, L. I. Johansson, A. A. Zakharov and T. Balasubramanian: Homogeneous large-area graphene layer growth on 6H-SiC(0001), Phys. Rev., B 78, 245403-1–245403-6 (2008).

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  グラフェン ,  高品質 ,  大面積 ,  CVD ,  高スループット ,  プロセス