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J-GLOBAL ID：201702223498707398   整理番号：17A1567626

ソルボサーマル合成によるペロブスカイト太陽電池のための室温ナノ粒子界面層【Powered by NICT】

Room temperature nanoparticulate interfacial layers for perovskite solar cells via solvothermal synthesis

著者 (6件)： Savva Achilleas (Molecular Electronics and Photonics Research Unit, Department of Mechanical Engineering and Materials Science and Engineering, Cyprus University of Technology, Limassol, 3603, Cyprus. [e-mail]) ,  Papadas Ioannis T. ,  Tsikritzis Dimitris ,  Armatas Gerasimos S. ,  Kennou Stella ,  Choulis Stelios A.
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 38  ページ： 20381-20389  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムすず酸化物(ITO)の間の正孔選択的界面層と室温で分散スピンキャスティングにより作ったpin型ペロブスカイト太陽電池のためのペロブスカイト活性層として使用できることを5 10nmの範囲の単分散CuOナノ粒子(NP)を製造するためにソルボサーマル合成経路を提示した。室温で球状CuO NPにより提供された底部電極界面改質は,大きな結晶サイズと強い光吸収をもつ高品質ペロブスカイト光活性層の形成を促進した。CuO正孔輸送界面層のナノ粒子性質はペロブスカイト太陽電池デバイス構造内の光操作を改善するために使用できることを示した。対応するp-i-n CH_3NH_3PbI_3ベース太陽電池は,1.09Vの高いV_oc値,従来のPEDOTで得られたV_oc値に比較して有意に高いを示した:PSS正孔選択接触ベースのペロブスカイト太陽電池。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  活性層 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  結晶 ,  酸化スズ ,  *太陽電池 ,  光吸収 ,  正孔 ,  素子構造 ,  酸化第二銅
準シソーラス用語： 正孔輸送 ,  光活性化 ,  単分散 ,  *界面層 ,  *ソルボサーマル合成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ソルボサーマル合成 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  室温 ,  ナノ粒子 ,  界面層