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J-GLOBAL ID：201702223508021474   整理番号：17A1646165

ペンタセンチャネル有機薄膜トランジスタのESD挙動について【Powered by NICT】

On the ESD behavior of pentacene channel organic thin film transistors

著者 (4件)： Sinha Rajat (Advanced Nanoelectronic Devices and Circuits Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore - 560012, India) ,  Kranthi N.K. (Advanced Nanoelectronic Devices and Circuits Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore - 560012, India) ,  Sambandan Sanjiv (Flexible Electronics lab, Instrumentation and Applied Physics, Indian Institute of Science, Bangalore-560012, India) ,  Shrivastava Mayank (Advanced Nanoelectronic Devices and Circuits Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore - 560012, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EOS/ESD  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタセン有機薄膜トランジスタ(OTFT)のESD挙動とユニークな破壊メカニズムへの詳細な物理的洞察を報告した。DC時間スケールと比較した場合,ESD時間スケール下でチャネル電流の大きさの違いの順序を発見した。さらに,スナップバック状態と新しい破壊機構を持つユニークな三段階テンションレグプラットホーム(TLP)特性を報告した。最後に,キャリア輸送と破壊しきい値に及ぼすチャネル場と表面組織化単分子膜(SAM)の影響を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  表面構造 ,  電流
準シソーラス用語： 単分子膜 ,  キャリア輸送 ,  スナップバック ,  破壊機構 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機薄膜トランジスタ ,  ESD ,  挙動