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J-GLOBAL ID：201702223545142309   整理番号：17A1048029

SWCNT電極に接続されたポリイン橋で構成される分子接合における機械的歪下での電子輸送の研究【Powered by NICT】

Investigation of electronic transport under mechanical strain in a molecular junction composed of a polyyne bridge connected to SWCNT electrodes

著者 (7件)： Correa S. M. (Pos-Graduacao em Fisica, Universidade Federal do Para, Belem, PA 66075-110, Brazil) ,  Ferreira D. F. S. ,  Siqueira M. R. S. ,  Reis-Silva J. C. ,  Leal J. F. P. ,  da Silva C. A. B. ,  Del Nero J.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 33  ページ： 22078-22087  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二種類の単層カーボンナノチューブ(SWCNT)電極間に接続した交互簡単で三重結合(ポリイン)から成る一次元分子ブリッジの機械的歪下での弾道電子輸送を研究する新しい処理法を提案した。DFT NEGF法による計算は,機械的歪(圧縮および膨満)の低い値で,縦方向に沿って印加したバイアス電圧の存在下での平衡長さでこのシステムを解析するために行った。結果は,機械的歪エネルギー準位を置換するとナノチューブキャップのバンドギャップを変化させるが,印加したバイアス電圧はナノチューブキャップ状態の縮退を破壊し,系に沿った電気伝導度を定義することを示した。PDOSの解析は電流への主な寄与は,ナノチューブキャップ状態の重合せ,透過型計算と一致するから,この素子はI-V曲線で観察されたトランジスタとして用いることができることを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  電極材料 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *ポリイン ,  三重結合 ,  歪 ,  *弾道電子 ,  *輸送現象 ,  電子 ,  密度汎関数法 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  バイアス ,  電圧 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 1次元構造 ,  DFT計算 ,  SWCNT ,  圧縮歪 ,  化学架橋 ,  *電子輸送 ,  膨張ひずみ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  アルキン  (CF03040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SWCNT ,  ポリイン ,  分子接合 ,  機械的歪 ,  電子輸送 ,  研究