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J-GLOBAL ID：201702223556554755   整理番号：17A0445125

高温環境におけるRFスパッタしたp-Si/n-ZnOナノ粒子薄膜ヘテロ接合ダイオードの性能【Powered by NICT】

Performance of RF sputtered p-Si/n-ZnO nanoparticle thin film heterojunction diodes in high temperature environment

著者 (3件)： Singh Satyendra Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, Model Institute of Engineering and Technology, Jammu, 181122, India) ,  Singh Satyendra Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad, Uttar Pradesh, 211004, India) ,  Hazra Purnima (Department of Electronics and Communication Engineering, Shri Mata Vaishno Devi University, Katra, Jammu and Kashmir, 182320, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 400  ページ： 206-211  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,RFスパッタリング法によって成長させたn-ZnO/p-Siナノ粒子薄膜ヘテロ接合ダイオードの温度依存電流-電圧特性は,高温環境における装置の性能を調査するために300 433kの温度範囲で解析した。成長したままのナノ粒子薄膜の微細構造,形態,光学およびtemptrature依存電気的性質をX線回折(XRD),原子間力顕微鏡(A FM),電界放出走査電子顕微鏡(FESEM),エネルギー分散X線分光法(EDX),角度可変偏光解析と半導体デバイス分析計によって特性化した。成長させたままのZnO膜のXRDスペクトルは高度にc軸配向したZnOナノ構造は,p-Si<100>基板上に成長させたが,A FMとFESEM像は,Si substratewith最小粗さの表面上のZnOナノ粒子の均一な沈着を確認したことを示した。光CVD成長したままのZnOナノ粒子を,可変角度偏光解析法を用いた300~800nmのスペクトル範囲で測定した。室温(300K)の温度範囲433~Kにおけるデバイスプロトタイプの電気的パラメータを測定するために,ZnO/Siヘテロ構造の両側上に作製した大面積Ohm接触。ZnO/Siヘテロ接合デバイスの電流-電圧特性から,デバイスは室温で整流特性を示すことが観察された。しかし,温度の増加に伴い,逆飽和電流,障壁高さは増加することが分かったが,理想因子は低下し始めた。この現象は,障壁の不均一性は,ZnO/Siヘテロ接合の界面で存在し,SiとZnOの間の格子定数と熱係数の不整合の結果としてことを確認した。,Richardson定数[33.06Acm~ 2K~ 2]の修正値はその理論値[32A CM~ 2K~ 2]に近いSi/ZnO界面を横切る特別な障壁高さ不均一性のGauss分布を仮定した後の温度依存電気特性から抽出した。この結果は障壁高さinmogeneitiesの存在にかかわらず,ZnO/Siヘテロ接合ダイオードは高温環境においてうまく作動するhasabilityことを示している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  界面 ,  *RFスパッタリング ,  キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  *ヘテロ接合 ,  偏光解析法 ,  *酸化亜鉛 ,  *ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  *ナノ粒子 ,  ナノ構造 ,  電流電圧特性 ,  不均一性 ,  エネルギー分散X線分光分析

著者キーワード (6件)： Si/ZnOヘテロ接合ダイオード ,  表面形態 ,  電流-電圧特性 ,  インタフェイス ,  Richardson定数 ,  温度安定性

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高温環境 ,  RFスパッタ ,  Si ,  ZnOナノ粒子 ,  薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード