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J-GLOBAL ID：201702223602083989   整理番号：17A1488566

垂直超接合デバイスにおける仕事関数工学の適用【Powered by NICT】

Application of workfunction engineering in vertical superjunction devices

著者 (3件)： Nautiyal Payal (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, National Institute of Technology Raipur, Raipur, CG, 492010 India) ,  Naugarhiya Alok (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, National Institute of Technology Raipur, Raipur, CG, 492010 India) ,  Verma Shrish (Department of Electronics and Telecommunication Engineering, National Institute of Technology Raipur, Raipur, CG, 492010 India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 927-935  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 仕事関数工学を用いた新しいデバイス超接合垂直単一拡散金属酸化物半導体(SJ VSDMOS)を本論文で提案されている。金属-半導体接触での仕事関数の差によって生じる電子と正孔のプラズマ形成。電子プラズマは身体接触下ソース接触,以上のドレイン端子と正孔プラズマ以下で形成される。さらに,従来及び提案した両方の素子の電気的特性を調べた。は提案したデバイス性能は,提案したデバイスのドレイン電流密度の8%の増加が破壊電圧に影響することなく観察される従来のデバイスと比較して優れていることを実証した。電流の増加は,特定の応用に必要な細胞の数の減少につながるであろう。さらに,提案したデバイスは,金属としてのアルミニウムの利用を完全に除去によって作成中の二プロセスステップを除去した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属酸化物 ,  半導体 ,  電流 ,  正孔 ,  電気的性質 ,  *仕事関数 ,  アルミニウム ,  プラズマ
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  ドレイン電流 ,  電子プラズマ ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 超接合 ,  特定オン抵抗 ,  絶縁破壊電圧 ,  電荷不均衡 ,  電場

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  超接合 ,  仕事関数 ,  工学