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J-GLOBAL ID：201702223625240873   整理番号：17A0598851

n型有機電界効果トランジスタのための電子不足型ジヒドロインダセンノジチオフェン位置異性体

Electron-Deficient Dihydroindaceno-Dithiophene Regioisomers for n-Type Organic Field-Effect Transistors

著者 (6件)： PELTIER Jean-David (Inst. des Sci. Chimiques de Rennes, CNRS, Rennes, FRA) ,  HEINRICH Benoit (Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  DONNIO Bertrand (Univ. de Strasbourg, Strasbourg, FRA) ,  RAULT-BERTHELOT Joeelle (Inst. des Sci. Chimiques de Rennes, CNRS, Rennes, FRA) ,  JACQUES Emmanuel (Univ. Rennes 1, Rennes, FRA) ,  PORIEL Cyril (Inst. des Sci. Chimiques de Rennes, CNRS, Rennes, FRA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 9  ページ： 8219-8232  発行年： 2017年03月08日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機エレクトロニクスの急激な発展は,有機LED等,電場効果有機トランジスタ(OEFT),有機太陽電池(OPV)等に採用される有機半導体(OSC)の需要増加に繋がっている。OEFTの分野において,ペンタセン,オリゴチオフェン,架橋オリゴアリーレン等のp型材料の設計が関心を集めており,5~20cm²V^-1s^-1の正孔移動度を有するOEFTが,報告されている。しかしながら,低い電力消費と高い運転レベルの)二極性トランジスタや相補論理回路は,n型OSCを必要とする。本研究は,メタージヒドロインデナノジチオフェン核上に構築された新しいOSCを報告している。また,分子レベル(電気化学,吸収分光法,分子モデリング),超分子配置,電界効果有機トランジスタ(OFET)の性能および安定性に関して,電子特性に及ぼす位置異性の影響も明らかにしている。OFETの性能および安定性に対する金ドメイン電極およびソース電極上に重合された4-(ジメチルアミノ)ベンゼンチオールの自己組織化単分子膜あるいは,ポリエチレンナフタレートを使用することの顕著な効果も,報告されている。これらの結果(最大移動度:7.1×10^-2cm²V^-1cm^-1,I_Don/I_Doff:2.3×10⁷,サブスレッショルドスイングが1.2V/dec)を照合すると,現在のOFETが,電子回路を構築するために使用可能と,確信する。

シソーラス用語： *構造異性体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度 ,  *電場効果 ,  *N型半導体 ,  ポリエチレンナフタレート ,  *単分子層 ,  オリゴマ ,  ポリチオフェン
準シソーラス用語： 位置異性体 ,  *有機トランジスタ ,  *正孔移動度 ,  *電場効果トランジスタ ,  *自己組織化単分子膜 ,  オリゴチオフェン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 4-(ジメチルアミノ)ベンゼンチオール

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機電界効果トランジスタ ,  電子 ,  位置異性体