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J-GLOBAL ID：201702223650808972   整理番号：17A1055821

薄ほう素ドープダイヤモンド膜の化学補助機械研磨:センシングデバイスのための高い電気化学的性能への迅速経路【Powered by NICT】

Chemical-Assisted Mechanical Lapping of Thin Boron-Doped Diamond Films: A Fast Route Toward High Electrochemical Performance for Sensing Devices

著者 (6件)： Ryl Jacek (Department of Electrochemistry, Corrosion and Materials Engineering, Faculty of Chemistry, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233 Gdansk, Poland) ,  Zielinski Artur (Department of Electrochemistry, Corrosion and Materials Engineering, Faculty of Chemistry, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233 Gdansk, Poland) ,  Burczyk Lukasz (Department of Electrochemistry, Corrosion and Materials Engineering, Faculty of Chemistry, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233 Gdansk, Poland) ,  Bogdanowicz Robert (Department of Metrology and Optoelectronics, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233 Gdansk, Poland) ,  Ossowski Tadeusz (Department of Analytical Chemistry, Faculty of Chemistry, University of Gdansk, 63 Wita Stwosza St., 80-952 Gdansk, Poland) ,  Darowicki Kazimierz (Department of Electrochemistry, Corrosion and Materials Engineering, Faculty of Chemistry, Gdansk University of Technology, 11/12 Narutowicza St., 80-233 Gdansk, Poland)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 242  ページ： 268-279  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はセンシングと電極触媒応用に使用されるホウ素ドープダイヤモンド(BDD)電極の電気化学的性能に有効であり,経済的に実行可能な増加が緊急に必要である。特に,不均一ほう素ドーパント分布による電極不均一性と電極を飽和.~2炭素不純物の除去を考慮に入れる,材料完全性の干渉なしになければならない。本研究では,著者らは,電気化学的性能に関する詳細な研究と化学アシスト機械的ラッピングによる前処理したBDD電極の電気化学的活性表面積の増加を記述した。BDD表面での表面化学と酸化の両方の過程に及ぼすラッピングの影響をクロノボルタンメトリ,瞬間インピーダンスモニタリング,及びX線光電子分光法により評価した。次に,原子間力顕微鏡と走査電子顕微鏡を用いて,広がり抵抗と表面形状のデータを作成した。分析した相互作用は非常に複雑であり,マルチレベルが,著者らは主要な観察された効果が電極表面,粒径の減少,不均一伝導率から非ダイヤモンド炭素不純物の除去によることを示唆した。短時間前処理はダイヤモンド膜構造における無視できる変化とより効率的な表面活性化に対する効果的な方法であることが分かった。長期前処理は粒径の減少をもたらし,(111)と(110)ファセットの寄与し,一方それは電極速度論に影響を低下させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ラッピング ,  *ダイヤモンド ,  前処理 ,  電極触媒 ,  X線光電子分光法 ,  不純物 ,  *検出器 ,  *電気化学 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  粒径 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： *ダイヤモンド膜 ,  *電気化学的性能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ほう素をドープしたダイヤモンド ,  電極均一性 ,  広がり抵抗 ,  インピーダンスモニタリング

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ほう素ドープダイヤモンド ,  化学 ,  機械研磨 ,  センシングデバイス ,  電気化学的性能 ,  経路