異なる温度で焼結したバルクMgB<sub>2</sub>の超伝導特性に与えるレーザ照射の効果

ERDEM O.; ERDEM O.; YANMAZ E.

文献

J-GLOBAL ID：201702223703710252 整理番号：17A0879729

異なる温度で焼結したバルクMgB₂の超伝導特性に与えるレーザ照射の効果

Effect of laser irradiation on superconducting properties of bulk MgB₂ sintered at different temperatures

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巻： 28 号： 12 ページ： 8382-8390 発行年： 2017年06月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MgB₂超伝導体ではピニング中心として働く自然欠陥が無いために,磁場が印加されると臨界電流密度が大きく抑制される。高磁場に適用するためにはMgB₂にピニング中心を作ることが不可欠である。200°Cでホットプレスした後に650と850°Cの異なる二つの温度で焼結したMgB₂バルク試料の表面をNd:YVO₄レーザで同じように照射し,ピニング特性と臨界電流密度が改善できるかを調べた。650°C焼結試料に照射すると臨界電流密度の磁場依存性は同じ温度で焼結した参照試料と比べて超伝導遷移領域の狭まりが若干広がった。だが,850°Cで焼結して照射した試料は,対応する参照試料と比べてピニング性能が低下し臨界温度は同じであった。臨界電流密度と体積ピニング力は650°C焼結試料の照射で増加するが,他条件の照射試料では低下する。

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固体デバイス材料 , 超伝導材料

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異なる温度で焼結したバルクMgB2の超伝導特性に与えるレーザ照射の効果

異なる温度で焼結したバルクMgB₂の超伝導特性に与えるレーザ照射の効果