文献

J-GLOBAL ID：201702223740056533   整理番号：17A1391419

溶液法で作製したSrO_xゲート酸化物薄膜トランジスタとインバータ【Powered by NICT】

Solution-Processed SrO_x-Gated Oxide Thin-Film Transistors and Inverters

著者 (6件)： Fan Caixuan (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Liu Ao (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Meng You (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Guo Zidong (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Liu Guoxia (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Shan Fukai (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4137-4143  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高k酸化ストロンチウム(SrO_x)誘電体薄膜を簡単かつ低コストの溶液法を用いて作製した。種々の温度(400°C,500°C,600°C及び700°C)でアニールしたSrO_x薄膜の形成と性質の特性評価技術を用いて調べた。電気的分析は,SrO_x薄膜の絶縁特性は,アニーリング温度の上昇で改善されたことを示した。400°Cより高い温度でのポストアニーリングはSrO_x薄膜を可能にし,3Vで~10~ 8A cm~ 2の低漏れ電流密度と350nF cm~ 2から20Hzでより大きい面積キャパシタンスを示した。更なる薄膜トランジスタ(TFT)のための溶液処理高k SrO_x薄膜の応用の可能性を調べるために,SrO_x薄膜に基づく酸化インジウム(In_2O_3)TFTを試験のために統合した。最適In_2O_3/SrO_x TFTは,平均電界効果移動度5.61cm~2V~ 1s~ 1の110mV dec~ 1の小さいサブしきい値スイングと大きなオン/オフ電流比10~7の高い性能を示した。より複雑な論理応用に向けたIn_2O_3/SrO_x TFTの可能性を示すために,単極インバータをさらに構築し,9.7の高い利得を示した。重要なことに,すべてのこれらのデバイスパラメータは,3Vの超低動作電圧,携帯型,電池駆動,低消費電力エレクトロニクスと回路に向けてのステップを表すで得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化ストロンチウム ,  電子技術 ,  キャラクタリゼーション ,  静電容量 ,  誘電体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化インジウム ,  *薄膜 ,  利得
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  電界効果移動度 ,  溶液処理 ,  漏れ電流密度 ,  ポストアニーリング ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  作製 ,  ゲート酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  インバータ