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J-GLOBAL ID：201702223747623872   整理番号：17A1640310

SbドーピングによるCr Bi_2Se_3トポロジカル絶縁体における輸送と磁性の調整【Powered by NICT】

Tuning the transport and magnetism in a Cr-Bi₂Se₃ topological insulator by Sb doping

著者 (11件)： Tung Y. (Department of Physics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan. [e-mail] [e-mail]) ,  Chong C. W. ,  Liao C. W. ,  Chang C. H. ,  Huang S. Y. ,  Chuang P. Y. ,  Lee M. K. ,  Cheng C. M. ,  Li Y. C. ,  Liu C. P. ,  Huang J. C. A.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 75  ページ： 47789-47795  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質結晶(Cr,Sb)をドープしたBi_2Se_3(Cr BSS)膜を分子ビームエピタクシー(MBE)を用いて合成した。Cr BSS膜の輸送および磁気的性質に及ぼすグランドSbドーピングの影響を系統的に調べた。シートキャリア密度N_2Dは室温でこの四元化合物における~6×10~12cm~ 2に減少することが分かった。これは以前にCr Bi_2Se_3ベース磁性トポロジカル絶縁体(TI)では観察されなかった。,Sbドーパントのために,磁気Cr Bi_2Se_3(Cr BS)における弱局在(WL)のような正の磁気コンダクタンスが増加した。増強は強磁性の出現に起因し,磁場依存H all抵抗と磁気モーメントから証明された。このシステム中のSbドーパントにより著明な調整可能な電気的および磁気的性質を磁気TIデバイスに基づく応用に非常に適している。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気的性質 ,  *ドーピング ,  *磁性 ,  強磁性 ,  結晶 ,  キャリア密度 ,  磁場 ,  MBE成長 ,  *アンチモン ,  ドーパント ,  磁気モーメント ,  磁気 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 磁気コンダクタンス ,  弱局在 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Sb ,  ドーピング ,  Cr ,  トポロジカル絶縁体 ,  輸送 ,  磁性