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J-GLOBAL ID：201702223865245852   整理番号：17A1779055

SOI/SOS MOSFETの電気熱rad SPICEモデル【Powered by NICT】

Electro-thermo-rad SPICE models for SOI/SOS MOSFETs

著者 (1件)： Kharitonov I. A. (National Research University “Higher School of Economics”, (Moscow Institute of Electronics and Mathematics), Scientific Research Institute of Advanced Materials and Technology, Moscow, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EWDTS  ページ： 1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結合電気熱Radモデルは航空宇宙応用のための硬化SOI/SOS CMOS ICのSPICEシミュレーションのために開発した。SOI/SOS半導体技術を用いて作製したMOSFETのSPICEモデルにおける熱(低,高温度,自己加熱)と放射線効果(総線量,粒子フルエンス,単一重粒子,過渡的電離放射線効果)を説明した。モデルは,マクロモデリングアプローチ,MOSFET(BSIMSOIまたはEKV)の標準SPICEモデルと温度と放射因子への依存性モデルパラメータを用いて構築した。SPICEモデルにおける放射と熱因子のための考慮を挙げ放射因子について述べた。主な強調点は,開発したモデルにおける総電離線量(TID)と温度効果の組合せに起因していた。放射と熱効果の組合せシミュレーションのための電気熱Radモデル適用のいくつかの例を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱影響 ,  バリオン ,  CMOS ,  *モデル ,  シミュレーション ,  イオン化 ,  放射線効果 ,  放射線量 ,  高温 ,  *MOSFET ,  温度依存性 ,  フルエンス
準シソーラス用語： モデルパラメータ ,  自己加熱 ,  *SPICEモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  その他の電子回路  (NC05090X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SOI ,  SOS ,  MOSFET ,  SPICEモデル