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J-GLOBAL ID：201702223885518798   整理番号：17A0504501

MOCVD成長ZnOナノ構造の特性に与えるVI/IIガス比の効果

Effect of VI/II gas ratio on the properties of MOCVD grown ZnO nanostructures

著者 (1件)： PATI Sumati (N. C. (Auto.) Coll., Jajpur, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1756-1761  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英基板上にMOCVDを使って様々なナノ構造のZnOを成長させた。ジエチル亜鉛とtert-ブタノール亜鉛源(II族)および酸素(VI族)を反応ガスとして,大気圧での450°Cで成長を行った。ジエチル亜鉛流量を20~35sccmで変化させ,t-ブタノールは60sccmに固定した。これによってVi/IIカス比は26から15の間で変化する。微細構造解析からVI/IIガス比変化でモルフォロジの変化は目立つが,それはVI/IIガス比の変化によるだけでなくジエチル亜鉛流量にも依存している。ジエチル亜鉛の流量が少ないとグレインはc軸に沿って成長し,流量が多いと三次元成長となってシート状構造になる。成長メカニズムを図式的に提案した。

シソーラス用語： *MOCVD ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノ構造 ,  比率 ,  気体 ,  微細構造 ,  構造解析 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  構造特性 ,  吸収スペクトル ,  化合物半導体 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： II-VI化合物半導体 ,  ZnO ,  反応ガス ,  表面モルフォロジー ,  *流量比

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (2件)： tert-ブタノール ,  ジエチル亜鉛

タイトルに関連する用語 (4件)： MOCVD ,  成長 ,  ZnO ,  ナノ構造