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J-GLOBAL ID：201702223914836656   整理番号：17A1076577

界面トラップのエネルギー密度分布プロファイルとその緩和時間と,室温での金/グラフェン酸化物ドープPrBaCoOナノセラミック/n-Siキャパシタの断面の捕捉

The energy density distribution profile of interface traps and their relaxation times and capture cross sections of Au/GO-doped PrBaCoO nanoceramic/n-Si capacitors at room temperature

著者 (4件)： DEMIREZEN S. (Amasya Univ., Amasya, TUR) ,  KAYA A. (Univ. California, CA, USA) ,  ALTINDAL S. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  USLU I. (Gazi Univ., Ankara, TUR)
資料名： Polymer Bulletin  (Polymer Bulletin)
巻： 74  号： 9  ページ： 3765-3781  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： H0465B  ISSN： 0170-0839  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-半導体Schottky障壁ダイオードを作成するために,金/グラフェン酸化物(GO)ドープPrBaCoOナノセラミック/n-Siキャパシタを作成し,そのアドミタンス測定を行った。キャパシタンス(C)およびコンダクタンス(G/W)値が周波数および印加バイアス電圧の関数であることを示した。C-Vプロットは,約0および2Vに位置する低周波数における二つの特徴的なピークを示し,アドミタンス法を用いて,界面/表面状態のエネルギー密度分布プロファイル(D_it/N_ss)およびその緩和時間および捕捉断面を求めた。

シソーラス用語： *金 ,  *グラフェン ,  *酸化物 ,  キャリア捕獲 ,  *エネルギー密度 ,  緩和時間 ,  *セラミック ,  *コンデンサ ,  静電容量 ,  コンダクタンス ,  *表面準位 ,  電圧 ,  バイアス ,  インピーダンス ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電気抵抗 ,  電圧依存性 ,  界面
準シソーラス用語： アドミタンス ,  *キャパシタ ,  キャパシタンス ,  *グラフェン酸化物 ,  *ナノセラミック ,  バイアス電圧 ,  界面トラップ ,  直列抵抗

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (13件)： 界面トラップ ,  エネルギー ,  密度分布 ,  プロファイル ,  緩和時間 ,  室温 ,  金 ,  グラフェン酸化物 ,  ドープ ,  ナノセラミック ,  Si ,  キャパシタ ,  捕捉