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J-GLOBAL ID：201702223932498943   整理番号：17A0222783

誰が最初か? 有機半導体の多重結晶相成長の実時間でのトラッキング:SiO₂上のテトラセン

Who’s on first? Tracking in real time the growth of multiple crystalline phases of an organic semiconductor: Tetracene on SiO₂

著者 (2件)： Nahm R. K. (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  Engstrom J. R. (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 146  号： 5  ページ： 052815-052815-8  発行年： 2017年02月07日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,シンクロトロンX線放射及び分子ビーム技術を用いてSiO₂上の薄膜の2つの多形の発展に及ぼす成長速度の影響を調査した。Ex situ X線反射率は,テトラセンがSiO₂上に2つの相を形成することを示した:薄膜相及びバルク相である。著者らは,これらの2つの相に関する成長の性質を明らかにするため,成長中にその場での実時間すれすれ入射回折を用いた。著者らは,最初に数層の厚さまで薄膜相のみの成長があることを観測した。これに続きバルク相の核形成,両方の相の成長及び最後にバルク相のみの成長が続く。著者らは,バルク相が核形成するとき,成長速度の増加に伴い蒸着厚が増加することを見つけた。同様に,著者らは薄膜相が飽和する蒸着厚もまた成長速度の増加に伴い増加することがわかった。成長速度に対するこれらの明白な依存性は,特に前者の効果に対する成長速度に依存した局所被覆率の実質的な結果である。低成長速度において,島の端部でのテトラセンの上方輸送による3D成長があり,その結果,分子が基板の影響から逃れ,そしてバルク相を形成する高い特徴を生じる。成長速度の増加は,バルク相の形成を遅らせる被覆率がより2Dでかつ均一な成長をもたらした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  有機材料 ,  *結晶成長 ,  *成長速度 ,  速度依存性 ,  結晶核形成 ,  膜厚 ,  固相 ,  X線回折 ,  ポリアセン ,  有機半導体 ,  分子ビーム
準シソーラス用語： 有機薄膜 ,  *結晶成長速度 ,  結晶相 ,  すれすれ入射X線回折

分類 (2件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機半導体 ,  多重 ,  結晶相 ,  成長 ,  実時間 ,  トラッキング ,  SiO2 ,  テトラセン