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J-GLOBAL ID：201702223960429009   整理番号：17A0445232

表面増強Raman散乱活性基板として使用するための高指数ファセットをもつ電気化学的に作製した金樹状突起【Powered by NICT】

Electrochemically fabricated gold dendrites with high-index facets for use as surface-enhanced Raman-scattering-active substrates

著者 (3件)： Cho Feng-Hsuan (Department of Chemistry, Tunghai University, No. 1727, Sec. 4, Taiwan Boulevard, Xitun District, Taichung 40704, Taiwan) ,  Lin Ying-Chen (Department of Chemistry, Tunghai University, No. 1727, Sec. 4, Taiwan Boulevard, Xitun District, Taichung 40704, Taiwan) ,  Lai Ying-Huang (Department of Chemistry, Tunghai University, No. 1727, Sec. 4, Taiwan Boulevard, Xitun District, Taichung 40704, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 402  ページ： 147-153  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,システイン特異的結晶金樹枝状結晶(Au Ds)はガラス状炭素電極,<111>方向に沿って優先的に結晶成長を示す上に作製した;Au Dsは幹,枝,およびナノロッド状葉三回対称性を含む階層構造を示し,表面増強Raman散乱(SERS)のホットスポットのための鋭い先端および辺の高密度をもたらした;この方法により希薄溶液中でさえ存在する検体が検出された。本研究で4-メルカプト安息香酸(4 MBA)の最低検出限界は10nm,8×10~6;以上のSERS解析増強因子に対応する濃度で観察された。この増強はAu Dsの利用可能な結晶表面の関数として化学吸着種の濃度依存SERSスペクトルを監視することにより決定した。Au Ds表面上に吸着した4-MBAの電位制御部分還元的脱着は,いくつかのレポーター分子の選択的脱着を可能にし,それによってAu Dsの高露出結晶表面積を生成した。注目すべきことに,これらのAu Dsは大面積にわたる強いRaman増強を示したとして本研究で合成したAu Dsの露出したAu(110)および高指数ファセットは,優れたSERS基板としての可能性を実証した。観察されたSERS強度への主要な寄与因子は,Au(110)及びAu D/GC基板(強度の約70%を説明する)の高屈折率ファセット上の4-MBAを吸着されることが分かった。(110)および高指数ファセットから脱着した4-MBA分子のSERS強度の有意な低下はAuD構造の先端とエッジに起因する局所電磁場の増強に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノロッド ,  *ファセット ,  化学吸着 ,  対称性 ,  *電気化学 ,  希薄溶液 ,  樹枝状結晶 ,  階層構造 ,  *金 ,  露光 ,  検出限界 ,  *表面増強Raman散乱 ,  ホットスポット ,  表面積
準シソーラス用語： 大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 表面増強Raman散乱 ,  ホットスポット ,  金デンドライト ,  Langmuir吸着等温式

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 表面増強Raman散乱 ,  活性基 ,  指数 ,  ファセット ,  電気化学 ,  作製 ,  金 ,  樹状突起