文献

J-GLOBAL ID：201702224017128850   整理番号：17A1836329

透明全カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Transparent all-carbon-nanotube thin-film transistors

著者 (5件)： Du Chunhui (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, 518055, China) ,  Deng Yanyan (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, 518055, China) ,  Zhu Kai ,  Gao Yubo ,  Zhang Min (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, 518055, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 502-505  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全てのカーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(ACNT TFTs)を容易な溶液処理法による透明ガラス基板上に提案し,作製した,ソース/ドレイン/ゲート電極としてチャネル材料と混合SWCNTsとして95%濃縮半導性単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)であった。デバイスは10~5以上のオン/オフ電流比を持つ優れた電子特性, 8Vのしきい値電圧,1.13decのサブ閾値スイング,10cm~/Vsのデバイス移動度だけでなく,80%の透明性を示した。この提案したデバイスは,次世代ディスプレイ応用のための非常に有望である。さらに,容易な作製法と低温プロセスは製造のための要求とよく一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導性 ,  チャネル ,  移動度 ,  表示装置 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 低温プロセス ,  透明性 ,  サブ閾値スイング ,  閾値電圧 ,  オフ電流 ,  ゲート電極 ,  ガラス基板 ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ