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J-GLOBAL ID：201702224025114519   整理番号：17A1649033

シングルエンドSRAM用センス増幅器のセンシング方式【Powered by NICT】

Sensing schemes of sense amplifier for single-ended SRAM

著者 (2件)： Chandras Ameya (School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai-600127, India) ,  Bhaaskaran V. S. Kanchana (School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai-600127, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNETS2  ページ： 379-384  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 背景/目的:メモリシステムが著しく大きな領域SoC(システムオンチップ)を占有し,それはまた,消費電力の増加に大きく寄与する。電力消費の大部分はメモリシステムの周辺回路に起因し,支配的な役割を果たすセンス増幅器を持つが,記憶は読書操作のアクセスである。本論文では,従来の6T SRAMセル8T SRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)セルメモリアーキテクチャへの改質を示し,データを読むための別々の経路を提供することの付加的利点を持つメモリセルの回折格子の書込み・読出し安定性の増加を中心にした。統計解析/方法:検出性能を増強するために,ドミノセンシング方式,AC結合センシング方式とスイッチングpMOSセンス増幅器のような種々の検出法を採用した。上記検出方式は,データを検出するために単一ビットラインを用いた。これらシングルエンド検出方式は,45nm技術を用いた産業標準Cadence EDAツールに実装し,シミュレーションした。これらは8T SRAMセルを含むSRAMバンクからのデータを検出するために採用した。結果:シミュレーション結果は,センシング操作中の電力消費は,シングルエンドビット線センシングの利点により,従来のセンス増幅器に比べて減少することを示した。【結論】三シングルエンドセンシング方式の研究と比較をスイッチングpMOSセンス増幅器はセンシング電力低減のかなりの量と良好な性能を示すことを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 消費電力 ,  *SRAM ,  検出法 ,  記憶方式 ,  記憶素子 ,  スイッチング ,  回折格子 ,  *センス増幅器 ,  電力消費 ,  シミュレーション ,  統計解析
準シソーラス用語： 電力低減 ,  ビット線 ,  周辺回路 ,  システムオンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： SRAM ,  センス増幅器 ,  センシング