形状記憶アクチュエータの正確な位置決めのための電気抵抗の限界:単軸荷重下でのよく配向したCuZnAl単結晶の1例【Powered by NICT】

Bertolino G.; Bertolino G.; Bertolino G.; Yawny A.; Yawny A.; Yawny A.; Pelegrina J.L.; Pelegrina J.L.; Pelegrina J.L.

文献

J-GLOBAL ID：201702224106244690 整理番号：17A0445845

形状記憶アクチュエータの正確な位置決めのための電気抵抗の限界:単軸荷重下でのよく配向したCuZnAl単結晶の1例【Powered by NICT】

The limitations of electrical resistance for accurate positioning of shape-memory actuators: The case of well-oriented CuZnAl single-crystals under uniaxial loading

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資料名：
巻： 117 ページ： 316-325 発行年： 2017年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

コンパクトな形状記憶アクチュエータの設計における精密位置決めのためのフィードバック信号として電気抵抗を用いる可能性を修正した。解析は一軸引張荷重を受けるよく配向したCuZnAl単結晶形状記憶合金について行った伸縮計と四鉛電気抵抗法で測定した直接歪測定を組み合わせた。このようにして歪と電気抵抗の間の関係を簡単なベンチマークシステムの実験的キャラクタリゼーションと対比できる物理学ベースのモデルを定式化することにより評価することができた。は,ここで開発したモデルは,位置決めアクチュエータのための形状記憶材料選択のための一般的指針を提供し,歪と電気抵抗の間の相関はむしろ限定され精度,分析した最も単純な材料の場合と荷重条件に対してもであることが分かった。応力誘起変態と関係したひずみの温度,変形速度,オーステナイト相とマルテンサイト相の電気抵抗率の温度依存性と温度依存性の効果を注意深く特性化した。結果は,低ヒステリシスと低潜熱変換を持つ材料は,準静的操作条件と組み合わせて使用されなければ,精密位置決めのための電気抵抗測定からのフィードバックの直接使用は論議の余地があることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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その他の金属組織学 , 機械的性質

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