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J-GLOBAL ID：201702224212700610   整理番号：17A1250105

再帰スイッチドキャパシタ住宅のカード電力増幅器【Powered by NICT】

A Recursive Switched-Capacitor House-of-Cards Power Amplifier

著者 (3件)： Salem Loai G. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, La Jolla, CA, USA) ,  Buckwalter James F. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Mercier Patrick P. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, La Jolla, CA, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 52  号： 7  ページ： 1719-1738  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： のみ低電圧薄酸化膜トランジスタを用いた4.8V供給から直接高電圧RF波形を効率良く生成することを完全集積化CMOS電力増幅器(PA)を紹介した。高電圧動作は住宅のカード(HoC)トポロジーにおける積層と飛行個々のD級PA細胞によって可能になった陰的~効率100%のDC-DC変換により達成した。異なる電圧変換比を支援するディジタル制御HoCスライスを再構成と容量出力を動的ににより,Dohertyのような高効率バックオフプロファイルはいかなる磁気インピーダンスインバータを用いないで達成した。65nm低電力CMOSに実装したテストチップは1.2Vトランジスタを用いた4.8Vから直接動作し,720MHzで 23dBmのピークパワーおよび6dBバックオフで40%以上の電池へのRF効率を達成した。10MHz16直交振幅変調信号を適用した場合,PAは15.7dBmと26.5%の平均出力電力および電力付加効率を持つ任意のプリディストーション技術を用いずに誤差ベクトル大きさ3.6%rmsのを達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： QAM【信号】 ,  再構成 ,  トランジスタ ,  位相幾何学 ,  *SC回路 ,  *電力増幅器 ,  電力付加効率 ,  ディジタル制御 ,  酸化膜 ,  CMOS
準シソーラス用語： プリディストーション ,  バックオフ ,  テストチップ ,  無線周波数 ,  低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチドキャパシタ ,  住宅 ,  カード ,  電力増幅器