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J-GLOBAL ID：201702224306253659   整理番号：17A0665487

ゾル-ゲル誘導TiO_2薄膜と対応するメモリスタアーキテクチャの開発【Powered by NICT】

The development of sol-gel derived TiO₂ thin films and corresponding memristor architectures

著者 (14件)： Prusakova Valentina (Department of Industrial Engineering, University of Trento, Via Sommarive 9, 38123 Trento, Italy. [e-mail]) ,  Collini Cristian ,  Nardi Marco ,  Tatti Roberta ,  Lunelli Lorenzo ,  Vanzetti Lia ,  Lorenzelli Leandro ,  Baldi Giacomo ,  Chiappini Andrea ,  Chiasera Alessandro ,  Ristic Davor ,  Verucchi Roberto ,  Bortolotti Mauro ,  Dire Sandra
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 3  ページ： 1654-1663  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メムリスティブ電池作製に適した調整可能で定義された特性をもつゾル-ゲル誘導TiO_2薄膜の開発を報告した。メムリスティブ細胞はスピンコーティングによりSiO_2/Ti/Pt人工電極上へのチタニアのゾル-ゲル堆積,それに続く多様な硬化と焼なまし法によって開発した。,従ってメムリスティブ応答に及ぼす,加工条件の影響と膜の性質に及ぼすゾルの化学組成をマイクロRamanと透過分光法,形状測定,偏光解析法,X線光電子分光法(XPS),原子間力顕微鏡(A FM),及びX線吸収と回折分光法(XASとXRD)によって研究した。メムリスティブ応答は多数のこれらの細胞から得られた,TiO_2構造,電鋳パラメータ,および構造のわずかな変化に及ぼす電気的挙動の依存性を明らかにした。このように,これらの特性は微調整電気的性能のためのハンドルを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スペクトロスコピー ,  スピンコーティング ,  X線光電子スペクトル ,  原子間力顕微鏡 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  電鋳 ,  形状測定 ,  *チタン ,  加工条件 ,  偏光解析法 ,  白金 ,  化学組成 ,  X線光電子分光法 ,  X線回折
準シソーラス用語： 二酸化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  薄膜 ,  開発