文献

J-GLOBAL ID：201702224348643435   整理番号：17A0444016

熱中性子検出器応用のための(001)サファイア基板上の六方晶窒化ほう素の有機金属化学蒸着【Powered by NICT】

Metalorganic chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride on (001) sapphire substrates for thermal neutron detector applications

著者 (6件)： Ahmed K. (Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Dahal R. (Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Weltz A. (Department of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Lu James J.-Q. (Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Danon Y. (Department of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Bhat I.B. (Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 137  ページ： 81-84  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,六方晶窒化ホウ素(hBN)の成長と特性化及び固相熱中性子検出のためのその利用について報告した。hBNエピタキシャル層は1350°Cの温度でサファイア基板上に有機金属化学蒸着により成長させた。26.7°の2θ角での(002)hBN面からのX線回折ピークはこれらの膜の6.66Åのc格子定数を示した。hBNの高周波Raman活性モードに対応する強いピークはhBNベース固体中性子検出器は電極間隔1mm,hBNの厚さ2.5μmの金属-semiconductor-金属配置を作製し,試験した1370.5cm~ 1で膜で見られた。作製した検出器は,深紫外光への強い応答を示した。0.86%の固有熱中性子検出効率を測定した,これは0.87%の理論的に期待される効率に近かった。これらの結果は,エピタキシャルhBN膜は熱中性子検出応用に有望であることを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  エピタクシー ,  格子定数 ,  *中性子検出 ,  HF【周波数】 ,  *熱中性子 ,  *MOCVD ,  検出効率 ,  X線回折 ,  *中性子検出器 ,  *検出器 ,  深紫外線 ,  エピタキシャル層 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  *サファイア基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中性子検出器 ,  応用 ,  サファイア基板 ,  六方晶窒化ほう素 ,  有機金属化学蒸着