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J-GLOBAL ID：201702224421934053   整理番号：17A1720827

スパッタリングによる移動を含まないMoS_2スペーサを用いたスピンバルブ接合【Powered by NICT】

Spin-Valve Junction With Transfer-Free MoS₂ Spacer Prepared by Sputtering

著者 (5件)： Wong W. C. (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Hong Kong) ,  Ng S. M. (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Hong Kong) ,  Wong H. F. (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Hong Kong) ,  Mak C. L. (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Hong Kong) ,  Leung C. W. (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Hong Kong)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 53  号： 11  ページ： ROMBUNNO.1600205.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料を基本とするスピントロニクス素子の展望を,それらの顕著なスピンに関係する特性に起因している。このようなデバイスの作製は,典型的には,二次元材料/電極界面に捕獲された汚染物質あるいは空洞に起因して低い界面をもたらすことを移動過程を含んでいる。ここでは,RFマグネトロンスパッタリングによりMoS_2膜の無転送の作製プロセスを報告し,La_0 7Sr_0 3MnO_3/MoS_2/Ni_0 8Fe_0 2スピンバルブ構造への応用を実証した。Raman分光法は,MoS_2のE_2gとA_1g振動モードを示し,結晶MoS_2層の成長を示唆した。20Kで0.8%の巨大磁気抵抗比が観察された。結果は,信頼性のある接触を得るための輸送のないプロセスとMoS_2ベースの電子デバイスおよびスピントロニクスデバイスを作製するための拡大可能な経路を示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *スパッタリング ,  汚染物質 ,  二次元 ,  *スペーサ ,  Raman分光法 ,  振動モード
準シソーラス用語： 電子素子 ,  巨大磁気抵抗 ,  二層 ,  スピンバルブ構造 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  電極界面 ,  スピントロニクス素子 ,  *スピンバルブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (3件)： スパッタリング ,  スペーサ ,  スピンバルブ