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J-GLOBAL ID：201702224445410074   整理番号：17A1264093

結晶性シリコン上に熱蒸着した正孔選択MoO3のアドミタンス解析【Powered by NICT】

Admittance analysis of thermally evaporated-hole selective MoO3 on crystalline silicon

著者 (3件)： Ahiboz Doguscan (Department of Physics, Middle East Technical University, Ankara, Turkey) ,  Nasser Hisham (The Center For Solar Energy Research & Applications (GUeNAM), Ankara, Turkey) ,  Turan Rasit (Department of Physics, Middle East Technical University, Ankara, Turkey)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IRSEC  ページ： 144-151  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池の効果的正孔輸送層(HTL)として化学量論的三酸化モリブデン(MoO_3x)の統合は,高い変換効率を維持しながら,高温プロセスを除去することにより,製造コストを低減するために期待されている。本研究では,静電容量とコンダクタンス解析による気相成長させたMoO_3x薄膜とMoO_3/結晶シリコン界面の電子的性質を抽出するために系統的研究を行った。直列抵抗,電気的応答,界面およびバルクトラップされた酸化物電荷に関するMoO_3x厚みと堆積後アニーリングの効果を深く検討し,決定した。さらに,直列抵抗の変化,界面の挙動とバルクトラップされた電荷を明らかにした。最後に,直列抵抗と界面捕獲電荷の周波数とバイアス電圧依存性を測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  コンダクタンス ,  電圧依存性 ,  *正孔 ,  気相成長 ,  *結晶度 ,  *ケイ素 ,  電荷 ,  静電容量 ,  太陽電池 ,  界面 ,  *真空蒸着
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  直列抵抗 ,  変換効率 ,  *アドミタンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶性シリコン ,  熱蒸着 ,  正孔 ,  アドミタンス ,  解析