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J-GLOBAL ID：201702224454964281   整理番号：17A0759454

CVDにより作製した播種材料から成長したバルク様3C-SiC【Powered by NICT】

Growing bulk-like 3C-SiC from seeding material produced by CVD

著者 (7件)： Schuh P. (Crystal Growth Lab, Materials Department 6 (i-meet), FAU Erlangen-Nuernberg, Martensstr. 7, D-91058, Erlangen, Germany) ,  Arzig M. (Crystal Growth Lab, Materials Department 6 (i-meet), FAU Erlangen-Nuernberg, Martensstr. 7, D-91058, Erlangen, Germany) ,  Litrico G. (Laboratori Nazionali del Sud, via S. Sofia 62, 95123, Catania, Italy) ,  Litrico G. (IMM-CNR, VIII Strada 5, 95121, Catania, Italy) ,  La Via F. (IMM-CNR, VIII Strada 5, 95121, Catania, Italy) ,  Mauceri M. (E.T.C. Epitaxial Technology Center, 16a strada - Pantano d’Arci, 95121, Catania, Italy) ,  Wellmann P. J. (Crystal Growth Lab, Materials Department 6 (i-meet), FAU Erlangen-Nuernberg, Martensstr. 7, D-91058, Erlangen, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600429  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶SiC上にSi上にCVD成長させたヘテロエピタキシャル3C-SiCを移動し,Siと均一な炭素接着剤堆積物の除去を得るためにエッチング段階を含む,更なる成長プロセスの種材料として使用するために得られた化合物を容易にするプロセスを提示した。SiCのバルク成長に用い,誘導加熱物理気相輸送反応器内の実現,昇華サンドイッチ配置では,3C-SiC種子の厚さは850μmまで増加した立方晶ポリタイプを保持した。炭素ゲッタとしてのTaの導入により,改善された成長前面を達成するために気相組成を最適化した。単結晶成長は,Laue回折およびRaman測定によって確認した。Ramanピークはより高い波数にシフトし,成長させた試料における圧縮応力を示した。,プロセスのスケールアップを実証し,約570μmの厚さを特徴とする2インチ装置10.5cm~2の面積上に成長した3C-SiCの実現可能性を示している。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： タンタル ,  *炭化ケイ素 ,  接着剤 ,  相組成 ,  気相 ,  ポリタイプ ,  堆積物 ,  最適化 ,  誘導加熱 ,  *ケイ素 ,  圧縮応力 ,  エッチング ,  反応器 ,  炭素
準シソーラス用語： *3C-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 3C-SiC ,  バルク結晶 ,  層移動 ,  物理気相輸送

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD ,  作製 ,  播種 ,  成長 ,  バルク ,  3C-SiC