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J-GLOBAL ID：201702224541646889   整理番号：17A0470308

ppm水準硫化水素を用いたゾル-ゲルに基づくCu_2ZnSnS_4薄膜の形成【Powered by NICT】

Formation of sol-gel based Cu₂ZnSnS₄ thin films using ppm-level hydrogen sulfide

著者 (4件)： Awadallah Osama (Mechanical and Materials Engineering Department, College of Engineering and Computing, Florida International University, Miami, FL 33174, USA) ,  Awadallah Osama (Center for the Study of Matter at Extreme Conditions (CeSMEC), Florida International University, Miami, FL 33199, USA) ,  Cheng Zhe (Mechanical and Materials Engineering Department, College of Engineering and Computing, Florida International University, Miami, FL 33174, USA) ,  Cheng Zhe (Center for the Study of Matter at Extreme Conditions (CeSMEC), Florida International University, Miami, FL 33199, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 625  ページ： 122-130  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,多くの他の研究で高パーセントレベルH_2S(例えば,≧5%)とは対照的に,硫化水素(H_2S)ガスのparts-per-milion(ppm)レベルを用いた銅亜鉛スズ硫化物(Cu_2ZnSnS_4またはCZTS)薄膜の調製を報告した。ゾル-ゲル法は,Cu,Zn,およびSn金属イオンの異なる比を有する前駆体溶液からの金属酸化物膜の調製のために採用した。硫化過程は100ppm H_2S種々の温度で水素によってバランスを用いた管状炉で行った。一般的に,得られた薄膜の硫黄含有量は,硫化温度への強い依存性を示すことが観察された。ppmレベルH_2Sにおけるより高い温度(例えば,~450と550°C)で硫化した試料をEDS,XRDにより同定された,Cu_3Snのような金属合金の形成を伴ったによって確認されるように,顕著な硫黄損失を経験した。一方,約350°Cの低温と125°Cで硫化した試料をXRD,ラマン顕微分光法およびシート抵抗測定によって確認されるように,CZTS相の形成を明らかにした。さらに,局所EDS分析はこれらの低温で調製したCZTS膜はほぼ化学量論的組成を持ち,時々Cu_2xS相(s)の形成を伴うことを示した。添加では,化学量論的及びCuリッチ前駆体溶液はCu欠乏溶液と比較して良好な結晶度と優れた光学的性質を持つCZTS試料を生成する傾向がある。これらの結果は,熱力学の観点から議論し,CZTS太陽電池のより安全でより経済的な処理のための今後の研究の方向性を指摘した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  X線回折 ,  スズ ,  *硫化 ,  金属イオン ,  化学量論 ,  *水素 ,  低温 ,  *硫化水素 ,  *ゲル ,  *銅 ,  硫黄 ,  ゾル-ゲル法 ,  太陽電池
準シソーラス用語： CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Cu_2ZnSnS_4 ,  ゾル-ゲル ,  硫化 ,  薄膜 ,  太陽電池 ,  硫化水素

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： PPM ,  水準 ,  硫化水素 ,  ゾル-ゲル ,  薄膜