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J-GLOBAL ID：201702224563621793   整理番号：17A1633903

完全集積化6GHz GaN電力増幅器の線形性強化【Powered by NICT】

Linearity Enhancement of a Fully Integrated 6-GHz GaN Power Amplifier

著者 (5件)： Choi Pilsoon (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Radhakrishna Ujwal (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Boon Chirn Chye (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Peh Li-Shiuan (Department of Computer Science, National University of Singapore, Singapore) ,  Antoniadis Dimitri (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 10  ページ： 927-929  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF GaN電力増幅器の線形性を改善するために開発された大信号非線形性補償技術。共通ソース(CS),共通ゲート(CG)GaN高電子移動度トランジスタを用いた高電力増幅器の設計をIEEEの802.11p標準のために提示した。電力増幅器は0.25μm GaNオンSiC技術で製作し,1.7mm×1.2mmを占めている。測定は 35dBm出力1dB圧縮点(OP1 dB)は二トーン相互変調歪試験のための39dBm OIP3が得られることを示した。も直交周波数分割多重変調信号のための6dB以上バックオフを考慮した10V電源電圧で28.8dBmの出力電力で31%のドレイン効率を達成した。提案CS CG配置による線形性向上は6GHzで完全に統合されたGaN電力増幅器で実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  OFDM ,  *電力増幅器 ,  非線形性 ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  *線形性 ,  IEEE
準シソーラス用語： 出力電力 ,  電源電圧 ,  バックオフ ,  相互変調歪 ,  大信号 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 集積化 ,  GaN ,  電力増幅器 ,  線形性 ,  強化