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J-GLOBAL ID：201702224680585094   整理番号：17A0988087

酸化物ReRAMにおける異常抵抗ヒステリシス:in situ TEMによって明らかにされた酸素発生と再混合【Powered by NICT】

Anomalous Resistance Hysteresis in Oxide ReRAM: Oxygen Evolution and Reincorporation Revealed by In Situ TEM

著者 (13件)： Cooper David (Universite Grenoble Alpes, F-38000, Grenoble, France) ,  Cooper David (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054, Grenoble, France) ,  Baeumer Christoph (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich GmbH and JARA-FIT, 52425, Juelich, Germany) ,  Bernier Nicolas (Universite Grenoble Alpes, F-38000, Grenoble, France) ,  Bernier Nicolas (CEA, LETI, Minatec Campus, F-38054, Grenoble, France) ,  Marchewka Astrid (Institute of Electronic Materials, IWE2, RWTH Aachen University, 52056, Aachen, Germany) ,  La Torre Camilla (Institute of Electronic Materials, IWE2, RWTH Aachen University, 52056, Aachen, Germany) ,  Dunin-Borkowski Rafal E. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich GmbH and JARA-FIT, 52425, Juelich, Germany) ,  Dunin-Borkowski Rafal E. (Ernst Ruska-Centre for Microscopy and Spectroscopy with Electrons, Forschungszentrum Juelich GmbH and RWTH Aachen University, 52425, Juelich, Germany) ,  Menzel Stephan (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich GmbH and JARA-FIT, 52425, Juelich, Germany) ,  Waser Rainer (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich GmbH and JARA-FIT, 52425, Juelich, Germany) ,  Waser Rainer (Institute of Electronic Materials, IWE2, RWTH Aachen University, 52056, Aachen, Germany) ,  Dittmann Regina (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich GmbH and JARA-FIT, 52425, Juelich, Germany)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 23  ページ： ROMBUNNO.201700212  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代不揮発性メモリと論理応用のための非常に魅力的な候補である,酸化還元系メムリスティブデバイスの制御と合理的な設計は,競合するとあまり理解されていないスイッチング機構,反対の電圧極性を持つ二つの共存する抵抗ヒステリシスをもたらすにより複雑である。これらの競合過程は規則的で異常な抵抗スイッチングとして定義することができる。特性化努力にもかかわらず,電流輸送の異常な抵抗スイッチングとその意味を駆動する複雑なナノスケール酸化還元過程は十分に理解されていない。,O空格子点濃度の横方向と垂直方向のマッピングは,収差補正透過型電子顕微鏡内でのその場な素子の動作中に使用した異常スイッチング機構を説明した。Schottky型電極の正(負)バイアス後のデバイス内の全体的なO空孔濃度の増加(減少)は,電極/酸化物界面での酸素の電極触媒放出および再取込と関連し,抵抗変化の原因であることが分かった。この基本的な洞察は,抵抗スイッチング過程に新たな視点を提示し,メムリスティブ素子の実現のための新しい技術的機会を開く,異常スイッチングは,選択的に抑制または望ましいいわゆる深いリセットを達成するために使用できるからである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒステリシス ,  チタン酸ストロンチウム ,  スイッチング ,  *酸化物 ,  *酸素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電圧 ,  不揮発性メモリ ,  バイアス ,  極性 ,  酸化還元反応 ,  界面
準シソーラス用語： ナノスケール ,  抵抗スイッチング ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 異常スイッチング ,  in situ TEM ,  メムリスティブ素子 ,  酸素交換 ,  抵抗スイッチング ,  SrTiO3

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  ReRAM ,  異常抵抗 ,  ヒステリシス ,  TEM ,  酸素発生