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J-GLOBAL ID：201702224689217797   整理番号：17A1440974

オプトエレクトロニクスのためのフェニレン-エチニレンフラグメントを有する分岐オリゴフェニレン【Powered by NICT】

Branched Oligophenylenes with Phenylene-Ethynylene Fragments for Optoelectronics

著者 (6件)： Kovalev Alexey I. (A.N. Nesmeyanov Institute of Organoelement Compounds, Russian Academy of Sciences, Vavilova 28, 119991 Moscow, Russia) ,  Kushakova Natalia S. (A.N. Nesmeyanov Institute of Organoelement Compounds, Russian Academy of Sciences, Vavilova 28, 119991 Moscow, Russia) ,  Stakhanov Andrey I. (A.N. Nesmeyanov Institute of Organoelement Compounds, Russian Academy of Sciences, Vavilova 28, 119991 Moscow, Russia) ,  Abramov Ivan A. (A.N. Nesmeyanov Institute of Organoelement Compounds, Russian Academy of Sciences, Vavilova 28, 119991 Moscow, Russia) ,  Destri Silvia (Istituto per lo studio delle Macromolecule (ISMAC), CNR, via Corti 12, 20133 Milano, Italy) ,  Khotina Irina A. (A.N. Nesmeyanov Institute of Organoelement Compounds, Russian Academy of Sciences, Vavilova 28, 119991 Moscow, Russia)
資料名： Macromolecular Symposia  (Macromolecular Symposia)
巻： 375  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201700037  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0318C  ISSN： 1022-1360  CODEN： MSYMEC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sonogashira反応により末端基としてフェニル,acenaphthenylまたはヘキシニル基を有する分枝oligophenylenethynylenesを合成した。モデル化合物と分岐ポリフェニレンエチニレンの比較はそれらの光学的性質をフェニルアセチレン部分の存在に依存することを明確に示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 末端基 ,  光学的性質 ,  フェニル基 ,  *オプトエレクトロニクス ,  モデル化合物 ,  Sonogashira反応 ,  ポリフェニレンエチニレン ,  芳香族炭化水素 ,  アセチレン化合物

著者キーワード (4件)： 吸収 ,  アセナフテンとhexynyl群 ,  ルミネセンス ,  ポリフェニレンエチニレン

分類 (2件)： 抵抗性  (YH02050K) ,  重縮合  (CG04050Z)

物質索引 (1件)： フェニルアセチレン

タイトルに関連する用語 (3件)： オプトエレクトロニクス ,  フェニレン ,  分岐