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J-GLOBAL ID：201702224721775667   整理番号：17A1802736

対称ポテンシャルの利用による量子井戸内のRashbaスピン-軌道相互作用の制御

Controlling Rashba spin-orbit interaction in quantum wells by adding symmetric potential

著者 (2件)： EGAMI Yoshiyuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  AKERA Hiroshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 6  ページ： 063007.1-063007.4  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Rashbaスピン軌道相互作用の係数αを修正する方法として,量子井戸(QW)への対称静電ポテンシャルの利用を提案する。対称QWにおいて,α=a_soE_z,ここでEzは垂直電界であり,定数a_soは対称ポテンシャルによって制御することができる。対称ポテンシャルの増加する強度の符号反転は,(001)配向のGaAs/AlGaAs量子井戸において,強固結合モデルを介して実証される。この知見は,非ゼロE_z電位においてαを消滅させる構造を実現するために用いることができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  スピントロニクス ,  電子系 ,  二次元 ,  強束縛近似 ,  モデリング ,  電位 ,  *静電場 ,  Hall効果
準シソーラス用語： Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  スピントロニクス素子 ,  二次元電子系 ,  強束縛モデル ,  静電ポテンシャル ,  スピンHall効果

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D)

引用文献 (38件)：

• E. I. Rashba, Sov. Phys. Solid State 2, 1109 (1960).
• F. J. Ohkawa and Y. Uemura, J. Phys. Soc. Jpn. 37, 1325 (1974).
• Y. A. Bychkov and E. I. Rashba, J. Phys. C 17, 6039 (1984).
• Y. A. Bychkov and E. I. Rashba, JETP Lett. 39, 78 (1984).
• J. Sinova, D. Culcer, Q. Niu, N. A. Sinitsyn, T. Jungwirth, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. Lett. 92, 126603 (2004).

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子井戸 ,  スピン ,  軌道相互作用