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J-GLOBAL ID:201702224763063231   整理番号:17A1646627

N極性GaN/InGaN p-nにおける光電流に対するIII-窒化物分極の効果【Powered by NICT】

Effect of III-Nitride polarization on photo-current in N-polar GaN/InGaN p-n
著者 (3件):
資料名:
巻: 2017  号: GECS  ページ: 1-6  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,光起電力特性におけるN極性配向で成長させたp-GaN/n-InGaNデバイスに対するIII-窒化物分極の影響を研究した。光電流密度の自発分極と圧電分極を考慮した新しいモデルを開発した。自己無撞着モデルを用いて,エネルギーバンド伝導を決定することである。これらのモデルを用いて,光起電力性能の評価を可能にする光起電力パラメータのセットを計算した。計算はインジウム組成とホスト格子温度の関数として行った。分極の影響に関する限り,この発見は,窒化物に基づく高効率太陽電池の製造を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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