文献

J-GLOBAL ID：201702224777944263   整理番号：17A0388800

大ギャップ量子スピンH all絶縁体の探索:窒化ホウ素/(Pb, Sn)/αAl_2O_3サンドイッチ構造【Powered by NICT】

Searching for large-gap quantum spin hall insulators: boron-nitride/(Pb, Sn)/α-Al₂O₃ sandwich structures

著者 (6件)： Wang Hui (Department of Physics and Astronomy, University of California, Irvine, CA 92697-4575, USA. [e-mail]) ,  Lu D. ,  Kim J. ,  Wang Z. ,  Pi S. T. ,  Wu R. Q.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 9  ページ： 2974-2980  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体は効率的な情報処理および貯蔵のための大きな可能性を有している。密度汎関数理論計算を用いて,ハニカム鉛単分子層はかなりのバンドギャップ(~0.27 eV)を持つトポロジー的非自明になるAl_2O_3(0001)基板上に安定化されることを予測した。さらに,Pb/Al_2O_3とAn/Al_2O_3のトポロジカル状態の保護としての六方晶窒化ホウ素(h BN)単分子層を用いることを提案した。著者らの知見は,実用的な応用のための二次元TIの設計と保護のための新しい可能性を示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  二次元 ,  情報処理 ,  位相幾何学 ,  *窒化ホウ素 ,  *アルミニウム ,  *サンドイッチ構造 ,  単分子層 ,  *絶縁材料 ,  *絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 六方晶窒化ホウ素 ,  密度汎関数計算 ,  *量子スピン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 医用素材  (GA05040H)

タイトルに関連する用語 (9件)： ギャップ ,  量子スピン ,  ALL ,  絶縁体 ,  探索 ,  窒化ホウ素 ,  Pb ,  Sn ,  サンドイッチ構造