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J-GLOBAL ID：201702224780706648   整理番号：17A0389308

WS_2グラフェンvan der Waalsエピタキシャルヘテロ構造に基づく高応答性と広帯域光検出器【Powered by NICT】

Highly responsive and broadband photodetectors based on WS₂-graphene van der Waals epitaxial heterostructures

著者 (9件)： Lan Changyong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, and School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China. [e-mail]) ,  Li Chun ,  Wang Shuai ,  He Tianying ,  Zhou Zhifei ,  Wei Dapeng ,  Guo Huayang ,  Yang Hao ,  Liu Yong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 6  ページ： 1494-1500  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料から構築されたvan der Waalsヘテロ構造が,それらの魅力的な電気的および光電子的特性のため広く注目を集めている。WS_2グラフェンvan der Waalsエピタキシャルヘテロ構造に基づく高応答性と広帯域光検出器,多結晶グラフェン膜上に直接成長する単結晶数層WS_2ナノシートにより作製したを報告した。光照射すると,電流は明らかに基礎となるp型グラフェンへWS_2からの光発生電子の移動,残りのホールにより誘起された光ゲート効果,通常の半導性光伝導体と全く対照的であるのため減少した。WS_2の強い広帯域吸収のおかげで,WS_2グラフェンヘテロ構造光検出器は405nmで950A W~ 1及び340から680nmまでの範囲の広いスペクトル応答の最大値をもつ高い応答性を示した。高性能WS_2グラフェン界面,光生成電子-正孔対の効率的な分離をもたらすにおける内部ビルトイン電場に起因すると考えられる。WS_2グラフェンヘテロ構造光検出器は,低コスト,広帯域で柔軟性のあるオプトエレクトロニクスへの応用の可能性を持つかもしれない。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *広帯域 ,  多結晶 ,  光生成 ,  *光検出器 ,  オプトエレクトロニクス ,  単結晶 ,  二次元 ,  界面 ,  *応答特性 ,  光電子 ,  *グラフェン ,  電子正孔対 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 内部電場 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェン ,  VAN ,  エピタキシャル ,  ヘテロ構造 ,  応答性 ,  広帯域 ,  光検出器