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J-GLOBAL ID：201702224842324424   整理番号：17A1502776

SnO_2~-歪と界面の影響上に成長させた(100)および(110)配向エピタキシャルCrO_2膜の磁気異方性【Powered by NICT】

Magnetic anisotropy of (100)- and (110)-oriented epitaxial CrO₂ films grown on SnO₂- the effects of strain and interface

著者 (9件)： Liu Shuo (Key Laboratory of Artificial Micro, and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Lu Zhihong (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, School of Materials and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhenhua (Key Laboratory of Artificial Micro, and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Cheng Ming (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, School of Materials and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, People’s Republic of China) ,  Liu Yong (Key Laboratory of Artificial Micro, and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Yu Ziyang (Key Laboratory of Artificial Micro, and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Li Weiwei (Key Laboratory of Artificial Micro, and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Xiong Rui (Key Laboratory of Artificial Micro, and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Shi Jing (Key Laboratory of Artificial Micro, and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 17  ページ： 14652-14658  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる方位のCrO_2膜とSnO_2上に成長させた厚さの結晶構造と磁気的性質をTiO_2上のものと比較した。結果は大きな異方的歪みは,(100)膜で見られたが,(110)膜中に存在するわずかな株ことを明らかにした。SnO_2とTiO_2にCrO_2(110)膜の磁気異方性は類似していた。CrO_2(100)膜に関しては,磁気異方性は同じ厚さを異なるat非常にした,SnO_2基板上の膜の磁気異方性はTiO_2上のそれよりも高かった。しかし,膜の容易軸は非常に小さな厚さでもc軸に沿って常に軸であることが見出され,容易軸スイッチングは観測されなかった。第一原理計算は,磁気異方性エネルギーは異方性歪でなく基板に関係しているだけでなくことを明らかにした。界面の異方性選択と株の効果の間の競合は,実際の容易軸方向を決定するための一つの重要な因子であるかもしれない。歪と界面の複合効果もSnO_2とTiO_2にCrO_2(100)膜の磁気異方性差の理由の1つである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気異方性 ,  結晶構造 ,  *界面 ,  磁気的性質 ,  *異方性 ,  *エピタクシー ,  スイッチング
準シソーラス用語： 異方性エネルギー ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CrO_2 ,  磁気異方性 ,  歪を受ける ,  インタフェイス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪 ,  界面 ,  成長 ,  配向 ,  エピタキシャル ,  磁気異方性